[發明專利]一種MEMS器件的制作方法有效
| 申請號： | 201410114224.5 | 申請日： | 2014-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN104944361A | 公開（公告）日： | 2015-09-30 |
| 發明（設計）人： | 鄭超;李廣寧;沈哲敏 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 100176 北京市大興*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 mems 器件 制作方法 | ||
1.一種MEMS器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
S1：提供一半導體基底，所述半導體基底表面預先劃分有用于后續制作MEMS敏感結構的MEMS區域；
S2：在所述半導體基底上形成第一SiGe層；
S3：在位于非MEMS區域的第一SiGe層表面形成若干凹槽，并在所述凹槽內填充塑性材料，形成塑性填充塊；
S4：去除所述凹槽外多余的塑性材料，然后在所述第一SiGe層表面形成一覆蓋所述塑性填充塊的第二SiGe層；
S5：以位于所述MEMS區域的第一SiGe層及第二SiGe層作為結構材料制作MEMS敏感結構。
2.根據權利要求1所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：所述半導體基底包括焊墊區域及覆蓋所述焊墊區域的介質層；所述焊墊區域位于所述MEMS區域旁。
3.根據權利要求2所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：于所述步驟S3中，在所述焊墊區域上方的第一SiGe層表面形成若干凹槽。
4.根據權利要求3所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：于所述步驟S5之后，進一步去除所述焊墊區域上方的第二SiGe層、塑性填充塊、第一SiGe層及介質層以暴露出所述焊墊區域。
5.根據權利要求4所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：暴露出所述焊墊區域后，進一步提供一包括腔體區域和鍵合區域的封帽層，將所述腔體區域對準所述MEMS敏感結構、將所述鍵合區域對準所述焊墊區域，然后將所述封帽層與所述半導體基底鍵合，以為所述MEMS敏感結構提供一真空密封環境。
6.根據權利要求1～5任意一項所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：所述塑性材料為絕緣高分子材料。
7.根據權利要求1～5任意一項所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：所述塑性材料為BCB材料。
8.根據權利要求1～5任意一項所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：于所述步驟S3中，所述凹槽的深寬比范圍是0.2～0.5。
9.根據權利要求1～5任意一項所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：于所述步驟S3中，采用化學氣相沉積法形成所述塑性填充塊。
10.根據權利要求1～5任意一項所述的MEMS器件的制作方法，其特征在于：所述第一SiGe層與所述第二SiGe層的厚度比為0.5～2。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（北京）有限公司，未經中芯國際集成電路制造（北京）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410114224.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種硅深孔工藝的監測方法
- 下一篇：微機電系統裝置
