[發明專利]一種使用圖形化退火多孔結構進行GaN單晶生長的方法有效

申請號：	201410114052.1	申請日：	2014-03-25
公開（公告）號：	CN103866380A	公開（公告）日：	2014-06-18
發明（設計）人：	郝霄鵬;戴元濱;吳擁中;張雷;邵永亮;劉曉燕;田媛	申請（專利權）人：	山東大學
主分類號：	C30B25/04	分類號：	C30B25/04;C30B29/40
代理公司：	濟南金迪知識產權代理有限公司 37219	代理人：	寧欽亮
地址：	250100 山***	國省代碼：	山東;37
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種使用圖形退火多孔結構進行 gan 生長方法
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【權利要求書】：

1.一種使用圖形化退火多孔結構進行GaN單晶生長的方法，其特征是，包括以下步驟：

（1）在GaN外延片上制備SiO₂圖形掩膜，GaN外延片的厚度為2μm-5μm，SiO₂掩膜為四方排列的開孔或者六方排列的開孔，SiO₂掩膜厚度為50nm-100nm，開孔周期為60μm-150μm，開孔直徑為10μm-15μm；

（2）將帶有SiO₂圖形掩膜的GaN外延片在真空爐內，1200-1300℃下高溫退火60分鐘-90分鐘；

（3）將退火后的帶有SiO₂圖形掩膜的GaN外延片在去離子水中超聲清洗5分鐘，然后在濃磷酸中漂洗1分鐘-5分鐘，用去離子水沖洗干凈；然后在25℃-53℃丙酮和25℃-73℃乙醇溶液中分別清洗1分鐘-5分鐘，用去離子水沖洗干凈，再用氫氟酸漂洗20秒-5分鐘去除SiO₂層，用去離子水沖洗干凈，氮氣烘干，形成多孔GaN襯底；

（4）將多孔GaN襯底通過HVPE外延生長，得到GaN單晶。

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