[發明專利]一種浸液限制機構

有效

• 申請號: 201410114022.0
• 申請日: 2014-03-25
• 公開（公告）號: CN104950585B
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 韋婧宇;聶宏飛;張洪博;趙旭
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種浸液限制機構，將浸液限制在投影物鏡和硅片之間，包括第一水平供液通道、第一水平出液通道、垂直供液通道、氣液回收通道以及供氣通道，所述第一水平供液通道和第一水平出液通道相對設置，所述垂直供液通道、氣液回收通道和供氣通道的出口由內向外依次排列于浸液限制機構的底部，所述第一水平供液通道、垂直供液通道分別連接至供液設備，所述第一水平出液通道和氣液回收通道分別連接至氣液回收設備，所述供氣通道連接至供氣設備，其特征在于，還包括與供液設備連接的第二水平供液通道和與氣液回收設備連接的第二水平出液通道。

2.如權利要求1所述的浸液限制機構，其特征在于，所述第二水平供液通道和第二水平出液通道的水平弧度相等，且相對于所述投影物鏡的中心軸對稱分布。

3.如權利要求1所述的浸液限制機構，其特征在于，所述第二水平供液通道與硅片上表面的距離大于第二水平出液通道與硅片上表面的距離，第二水平出液通道與硅片上表面的距離大于投影物鏡下表面與硅片上表面的距離。

4.如權利要求1所述的浸液限制機構，其特征在于，所述第二水平供液通道的垂直寬度小于所述第二水平出液通道的垂直寬度。

5.如權利要求1～4中任何一項所述的浸液限制機構，其特征在于，所述投影物鏡下表面與硅片上表面之間的距離為0.1～0.2mm。

6.如權利要求1～4中任何一項所述的浸液限制機構，其特征在于，所述第二水平供液通道和第二水平出液通道的垂直截面為矩形或弧形喇叭狀。

7.如權利要求1～4中任何一項所述的浸液限制機構，其特征在于，所述浸液限制機構的高度為9～10mm；所述第二水平供液通道與硅片上表面的距離為3.1～6.5mm；所述第二水平出液通道與硅片上表面的距離為3.1～5mm。

8.如權利要求7所述的浸液限制機構，其特征在于，所述第二水平供液通道與硅片上表面的距離為6.0mm；所述第二水平出液通道與硅片上表面的距離為4.5mm。

9.如權利要求1～4中任何一項所述的浸液限制機構，其特征在于，所述第二水平供液通道和第二水平出液通道的水平弧度為70°～120°。

10.如權利要求9所述的浸液限制機構，其特征在于，所述第二水平供液通道和第二水平出液通道的水平弧度為90°。

11.如權利要求1～4中任何一項所述的浸液限制機構，其特征在于，所述第二水平供液通道的垂直寬度為1.5～2.0mm，所述第二水平出液通道的垂直寬度為2.0～2.5mm。

12.如權利要求11所述的浸液限制機構，其特征在于，所述第二水平供液通道的垂直寬度為1.5mm，所述第二水平出液通道的垂直寬度為2.0mm。

13.如權利要求1～4中任何一項所述的浸液限制機構，其特征在于，所述第二水平供液通道連接至獨立的正壓源，所述第二水平出液通道連接至獨立的負壓源。

14.如權利要求1～4中任何一項所述的浸液限制機構，其特征在于，所述垂直供液通道的出口可以是細長的狹縫，也可以是均布的圓形或者方形的小孔。

15.如權利要求14所述的浸液限制機構，其特征在于，所述狹縫的寬度在0.1～0.2mm之間。

16.如權利要求1～4中任何一項所述的浸液限制機構，其特征在于，所述氣液回收通道的出口可以是細長的狹縫，也可以是均布的圓形或者方形的小孔。

17.如權利要求16所述的浸液限制機構，其特征在于，所述狹縫的寬度在0.4～0.6mm之間。

18.如權利要求1～4中任何一項所述的浸液限制機構，其特征在于，所述供氣通道結構為細長的狹縫或均布的圓形或者方形的小孔。

19.如權利要求18所述的浸液限制機構，其特征在于，所述狹縫的寬度在0.1～0.2mm之間。