[發明專利]一種光掩模制備方法在審
| 申請號： | 201410113716.2 | 申請日： | 2014-03-25 |
| 公開（公告）號： | CN104950567A | 公開（公告）日： | 2015-09-30 |
| 發明（設計）人： | 田明靜 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光掩模 制備 方法 | ||
1.一種光掩模制備方法，其特征在于，所述光掩模制備方法至少包括曝光步驟，所述曝光步驟包括：
提供表面依次沉積有遮光層和光刻膠層的透明基板，采用曝光設備對所述光刻膠層進行第一次曝光，在所述光刻膠層上形成陣列排列的方型或線型曝光區；
在所述方型曝光區的四個拐角處或線型曝光區的兩側邊緣進行第二次曝光；
其中，所述第一次曝光的曝光量低于正常曝光量，所述第二次曝光的曝光量與第一次曝光的曝光量之和高于正常曝光量。
2.根據權利要求1所述的光掩模制備方法，其特征在于：每一個拐角處進行第二次曝光的面積尺寸為第一次曝光形成的方型曝光區面積尺寸的A%，其中，0＜A＜25。
3.根據權利要求1所述的光掩模制備方法，其特征在于：每一側邊緣進行第二次曝光的寬度為第一次曝光形成的線型曝光區寬度的B%，其中，0＜B＜50。
4.根據權利要求1所述的光掩模制備方法，其特征在于：所述第一次曝光的曝光量比正常曝光量低不超過30%。
5.根據權利要求4所述的光掩模制備方法，其特征在于：所述第一次曝光的曝光量比正常曝光量低10%～20%。
6.根據權利要求1所述的光掩模制備方法，其特征在于：所述第二次曝光的曝光量與第一次曝光的曝光量之和比正常曝光量高不超過30%。
7.根據權利要求6所述的光掩模制備方法，其特征在于：所述第二次曝光的曝光量與第一次曝光的曝光量之和比正常曝光量高10%～20%。
8.根據權利要求1所述的光掩模制備方法，其特征在于：所述第一次曝光的曝光量大于顯影閾值。
9.根據權利要求1所述的光掩模制備方法，其特征在于：完成曝光之后還包括步驟：采用烘烤設備對光掩模表面進行烘烤，并進行顯影處理，之后刻蝕所述遮光層形成光掩模圖案。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410113716.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
