[發明專利]基于金屬納米顆粒增強的壓扁型光纖ATR葡萄糖傳感器有效
| 申請號: | 201410113438.0 | 申請日: | 2014-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN103919561A | 公開(公告)日: | 2014-07-16 |
| 發明(設計)人: | 栗大超;孫長月;王日東;王東昂;徐可欣 | 申請(專利權)人: | 天津大學 |
| 主分類號: | A61B5/1459 | 分類號: | A61B5/1459 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 杜文茹 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 金屬 納米 顆粒 增強 壓扁 光纖 atr 葡萄糖 傳感器 | ||
1.一種基于金屬納米顆粒增強的壓扁型光纖ATR葡萄糖傳感器,包括有由光纖纖芯(1)和包裹在光纖纖芯(1)外周的光纖包層(3)構成的光纖,其特征在于,在所述光纖的中部形成有一段壓扁區域(4),在光纖的壓扁區域(4)部分的表面上生長有金屬納米顆粒(5),在所述光纖的兩端分別連接有用于連接外部部件的光纖接頭(2)。
2.根據權利要求1所述的基于金屬納米顆粒增強的壓扁型光纖ATR葡萄糖傳感器,其特征在于,所述的光纖為多模光纖。
3.根據權利要求1所述的基于金屬納米顆粒增強的壓扁型光纖ATR葡萄糖傳感器,其特征在于,所述的光纖纖芯(1)和光纖包層(3)均是采用鹵化銀材料制作,通光性在波長為4um~18um的范圍。
4.根據權利要求1所述的基于金屬納米顆粒增強的壓扁型光纖ATR葡萄糖傳感器,其特征在于,所述的壓扁區域(4)的光纖長度為5~10cm,厚度為50~450um。
5.根據權利要求1所述的基于金屬納米顆粒增強的壓扁型光纖ATR葡萄糖傳感器,其特征在于,所述的金屬納米顆粒(5)為貴金屬或者過渡金屬。
6.根據權利要求1所述的基于金屬納米顆粒增強的壓扁型光纖ATR葡萄糖傳感器,其特征在于,所述金屬納米顆粒(5)的形狀為橢球形或棒狀,長度為20~100nm。
7.根據權利要求1所述的基于金屬納米顆粒增強的壓扁型光纖ATR葡萄糖傳感器,其特征在于,金屬納米顆粒(5)是通過蒸鍍法、化學溶液法或者濺射法均勻的生長在壓扁區域(4)中的光纖表面上。
8.根據權利要求1所述的基于金屬納米顆粒增強的壓扁型光纖ATR葡萄糖傳感器,其特征在于,所述的壓扁區域(4)部分的光纖是只由光纖纖芯(1)構成的光纖,或是由光纖纖芯(1)和包裹在光纖纖芯(1)外周的光纖包層(3)構成的光纖。
9.根據權利要求1所述的基于金屬納米顆粒增強的壓扁型光纖ATR葡萄糖傳感器,其特征在于,是在以二氧化碳為激光光源的雙光路光學系統中進行性能測試和評估。
10.根據權利要求9所述的基于金屬納米顆粒增強的壓扁型光纖ATR葡萄糖傳感器,其特征在于,所述的激光光源能夠輸出葡萄糖兩個強吸收峰附近的1081、1076、1051、1041和1037cm-1五條譜線作為傳感器的工作波長。
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