[發明專利]芯片背面涂覆錫膏的裝片方法

有效

• 申請號: 201410113333.5
• 申請日: 2014-03-26
• 公開（公告）號: CN103839839A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 孟浪;徐青青;郭玉兵
• 申請（專利權）人: 常州銀河世紀微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50
• 代理公司: 常州市天龍專利事務所有限公司 32105
• 代理人: 夏海初

1.一種芯片背面涂覆錫膏的裝片方法，以具有充氮閥、裝有真空閥的抽真空泵和內循環風機的烘箱為工藝裝備，以芯片和芯片框架為出發工件，其特征在于：所述裝片的步驟依次是：

步驟a、將芯片背面涂覆錫膏并與芯片框架組裝后送至烘箱內，打開真空閥進行抽真空，而充氮閥關閉，待烘箱的內壓在0.05～0.15Pa范圍內時，再打開充氮閥注入氮氣，令烘箱的內壓維持在0.5～0.6Pa范圍內，并開啟內循環風機；

步驟b、對烘箱內進行升溫對工件進行烘烤，而烘烤溫度在150～220℃范圍內，此時，錫膏所含的溶劑和助焊劑氣化，并隨著氮氣被抽真空泵抽離；

步驟c、在所述工件經步驟b將錫膏的溶劑和助焊劑氣化并被抽離情況下，將烘箱內的溫度持續進行升溫對工件進行烘烤，待烘烤溫度提高至250～300℃范圍內時，所述錫膏所含的錫球顆粒被熔化；

步驟d、在所述工件經步驟c將錫膏的錫球顆粒被熔化情況下，停止加熱并關閉烘箱的充氮閥和內循環風機，且繼續抽真空，待烘箱的內壓在0.05～0.15Pa范圍內時，再次打開充氮閥和內循環風機，令烘箱的內壓保持在0.5～0.6Pa范圍內；

步驟e、在所述工件經步驟d后，將烘箱內的溫度進行降溫，待烘箱內的溫度在15～25℃范圍內時，關閉真空閥，使得烘箱內的內壓降為1個標準大氣壓，爾后關閉充氮閥和內循環風機，則完成芯片背面與芯片框架焊接的裝片工作。

2.根據權利要求1所述的芯片背面涂覆錫膏的裝片方法，其特征在于：所述烘箱充入的氮氣內含有氮氣總重量1.5～3.5%的氫氣。

3.根據權利要求1所述的芯片背面涂覆錫膏的裝片方法，其特征在于：實施步驟b的時間控制在30~45分鐘范圍內。

4.根據權利要求1所述的芯片背面涂覆錫膏的裝片方法，其特征在于：實施步驟c的時間控制在15~20分鐘范圍內。

5.根據權利要求1所述的芯片背面涂覆錫膏的裝片方法，其特征在于：實施步驟d的時間控制在10~15分鐘范圍內。

6.根據權利要求1所述的芯片背面涂覆錫膏的裝片方法，其特征在于：實施步驟e的時間控制在25~30分鐘范圍內。

7.根據權利要求1所述的芯片背面涂覆錫膏的裝片方法，其特征在于：步驟b和步驟c所述烘箱內的溫度升溫是定點曲線逐漸遞增式升溫，且由自動控制器自動控制。

8.根據權利要求1所述的芯片背面涂覆錫膏的裝片方法，其特征在于：與抽真空泵裝連的真空閥是比例控制閥。