[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管外延片及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410111793.4
• 申請日: 2014-03-24
• 公開（公告）號: CN104009140A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭炳磊;王群;胡加輝;童吉楚;陶章峰;魏世禎
• 申請（專利權(quán)）人: 華燦光電(蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/02;H01L33/04
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管外延片，所述外延片包括襯底、以及在所述襯底上向上生長的成核層、未摻雜的GaN層、n型層、多量子阱層、電子阻擋層和p型層，其特征在于，所述電子阻擋層的厚度為50～150nm，所述外延片還包括第一p型GaN層和生長在所述第一p型GaN層上的第二p型GaN層，所述第一p型GaN層和所述第二p型GaN層位于所述多量子阱層和所述電子阻擋層之間，所述第一p型GaN層的生長溫度為600～800℃、生長壓力為400～800Torr，所述第二p型GaN層的生長溫度為800～1000℃、生長壓力為50～500Torr。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一p型GaN層和所述第二p型GaN層的厚度均為10～50nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述外延片還包括生長在所述第一p型GaN層上的厚度為1～30nm的插入層，所述插入層為周期結(jié)構(gòu)，每個周期包括InGaN層和AlInGaN層，所述插入層各周期結(jié)構(gòu)中的AlInGaN層的Al的組分含量是電子阻擋層的Al的組分含量的1.1～1.5倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的外延片，其特征在于，所述外延片包括n個第一p型GaN層和n個與所述第一p型GaN層交替生長的所述插入層，其中，1≤n≤50。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外延片，其特征在于，所述n個第一p型GaN層和所述n個插入層的總厚度為11～80nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的外延片，其特征在于，所述插入層的生長溫度為600～1000℃，生長壓力為50～800Torr。

7.一種發(fā)光二極管外延片的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長成核層、未摻雜的GaN層、n型層和多量子阱層；

在溫度為600～800℃、壓力為400～800Torr的環(huán)境下，在所述多量子阱層上生長第一p型GaN層；

在溫度為800～1000℃、壓力為50～500Torr的環(huán)境下，在所述第一p型GaN層上生長第二p型GaN層；

在所述第二p型GaN層上生長所述厚度為50～150nm的電子阻擋層；

在所述電子阻擋層上生長p型層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7述的方法，其特征在于，在所述第一p型GaN層上生長第二p型GaN層之前，所述方法還包括：

在所述第一p型GaN層上生長厚度為1～30nm的插入層，所述插入層為周期結(jié)構(gòu)，每一周期包括InGaN層和AlInGaN層，且所述插入層各周期結(jié)構(gòu)中的AlInGaN層的Al的組分含量是電子阻擋層的Al的組分含量的1.1～1.5倍；

在所述插入層上生長所述第二p型GaN層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述多量子阱層上生長第一p型GaN層，在所述第一p型GaN層上生長插入層，具體包括：

在所述多量子阱層上生長n個第一p型GaN層和n個插入層，所述n個第一p型GaN層和n個插入層相互交替生長，其中，1≤n≤50。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在溫度為600～1000℃、壓力為50～800Torr的環(huán)境下，在所述第一p型GaN層上生長插入層。