[發明專利]一種存儲器中的磁性軌道的制造方法、裝置及一種存儲器

有效

• 申請號: 201410111552.X
• 申請日: 2014-03-24
• 公開（公告）號: CN104953025B
• 公開（公告）日: 2017-07-07
• 發明（設計）人: 林殷茵;趙俊峰;楊偉;王元鋼;楊凱;傅雅蓉
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司;復旦大學
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;H01L43/00
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強

1.一種存儲器中的磁性軌道的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

將多個陽性隔離層和多個陰性隔離層交替堆疊以制取堆疊體；

沿堆疊方向對所述堆疊體刻蝕至少一個孔隙；

在所述孔隙的內表面沿所述孔隙的方向淀積兩條互不接觸的磁性材料以形成兩條凹凸狀的磁性軌道，其中，所述陽性隔離層和所述陰性隔離層針對所述磁性材料具有不同的淀積速率。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述沿堆疊方向對所述堆疊體刻蝕至少一個孔隙，包括：

沿堆疊方向對所述堆疊體進行非選擇性刻蝕以獲取至少一個孔隙；或

沿堆疊方向對所述堆疊體進行選擇性刻蝕以獲取至少一個孔隙。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述孔隙的內表面沿所述孔隙的方向淀積兩條互不接觸的磁性材料以形成兩條凹凸狀的磁性軌道之后，還包括：

在所述兩條凹凸狀的磁性軌道之間填充隔離材料；

對所述孔隙的其中一端的孔口所在的所述堆疊體的表面進行打磨；

在打磨后的所述表面覆蓋一層所述隔離材料。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述隔離材料包括由鐵、鈷或鎳中任意一種或多種元素組成的金屬氧化物以及所述金屬氧化物的混合物。

5.如權利要求1-2任一項所述的方法，其特征在于，所述在所述孔隙的內表面沿所述孔隙的方向淀積兩條互不接觸的磁性材料以形成兩條凹凸狀的磁性軌道之后，還包括：

使用所述磁性材料連接所述兩條凹凸狀的磁性軌道以形成一條U型的凹凸狀的磁性軌道。

6.一種存儲器中的磁性軌道的制造裝置，其特征在于，所述裝置包括：

堆疊體制取模塊，用于將多個陽性隔離層和多個陰性隔離層交替堆疊以制取堆疊體；

孔隙刻蝕模塊，用于沿堆疊方向對所述堆疊體刻蝕至少一個孔隙；

磁性軌道形成模塊，用于在所述孔隙的內表面沿所述孔隙的方向淀積兩條互不接觸的磁性材料以形成兩條凹凸狀的磁性軌道，其中，所述陽性隔離層和所述陰性隔離層針對所述磁性材料具有不同的淀積速率。

7.如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述孔隙刻蝕模塊包括：

選擇性刻蝕單元，用于沿堆疊方向對所述堆疊體進行非選擇性刻蝕以獲取至少一個孔隙；或

非選擇性刻蝕單元，用于沿堆疊方向對所述堆疊體進行選擇性刻蝕以獲取至少一個孔隙。

8.如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

隔離材料填充模塊，用于在所述兩條凹凸狀的磁性軌道之間填充隔離材料；

表面打磨模塊，用于對所述孔隙的孔口所在的所述堆疊體的表面進行打磨；

隔離材料覆蓋模塊，用于在打磨后的所述表面覆蓋一層所述隔離材料。

9.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述隔離材料包括由鐵、鈷或鎳中任意一種或多種元素組成的金屬氧化物以及所述金屬氧化物的混合物。

10.如權利要求8-9任一項所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括：

磁性軌道連接模塊，用于使用所述磁性材料連接所述兩條凹凸狀的磁性軌道以形成一條U型的凹凸狀的磁性軌道。

11.一種帶磁性軌道的存儲器，其特征在于，所述存儲器包括堆疊體和至少一對凹凸狀的磁性軌道，其中：

所述堆疊體由多個陽性隔離層和多個陰性隔離層交替堆疊而成，所述堆疊體中有至少一個沿堆疊方向刻蝕的孔隙，所述凹凸狀的磁性軌道由磁性材料在所述孔隙的內表面沿所述孔隙的方向淀積而形成，其中，所述陽性隔離層和所述陰性隔離層針對所述磁性材料具有不同的淀積速率。

12.如權利要求11所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器還包括隔離材料，一部分的所述隔離材料填充在所述一對凹凸狀的磁性軌道之間，另一部分的所述隔離材料覆蓋在所述孔隙的其中一端的孔口所在的所述堆疊體的表面。

13.如權利要求11所述的存儲器，其特征在于，所述一對凹凸狀的磁性軌道通過所述磁性材料相連呈U型。

14.如權利要求12所述的存儲器，其特征在于，所述隔離材料包括由鐵、鈷或鎳中任意一種或多種元素組成的金屬氧化物以及所述金屬氧化物的混合物。