[發明專利]一種高電阻溫度系數氧化釩薄膜制備方法

有效

• 申請號: 201410111401.4
• 申請日: 2014-03-24
• 公開（公告）號: CN103882389A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 韋良忠;朱汪龍;劉燕;陳黎明
• 申請（專利權）人: 無錫艾立德智能科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08;C23C14/58
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 邵驊

1.一種高電阻溫度系數氧化釩薄膜制備方法，包括以下步驟：

（1）裝入基片，對基片表面進行離子轟擊活化；

（2）將步驟（1）處理后的基片在真空環境下轉入濺射室；

（3）在常溫下，進行氧化釩薄膜兩步法濺射沉積；

（4）對沉積后的氧化釩薄膜進行高溫快速退火。

2.根據權利要求1所述的高電阻溫度系數氧化釩薄膜制備方法，其特征在于，步驟（1）中，離子轟擊活化操作在帶反應離子刻蝕源或帶考夫曼源等離子源的真空室中進行，具體步驟為：將本底真空度抽至優于5.0×10^-4Pa后，打開進氣閥，通入O₂/Ar流量比為1：5～1：20的超高純Ar和O₂，并使真空維持在1.0～9.0×10^-1Pa，然后打開離子源，對基片表面進行1-5分鐘的離子轟擊。

3.根據權利要求1所述的高電阻溫度系數氧化釩薄膜制備方法，其特征在于，步驟（3）中，氧化釩薄膜濺射沉積分兩步進行，具體步驟為：第一步以O₂/Ar流量比為0～1：50的氣氛在基片表面沉積1-5nm的超薄低價氧化釩種子層，第二步再以1：20～1：12的O₂/Ar流量比，進行設定厚度的氧化釩薄膜沉積。

4.根據權利要求1所述的高電阻溫度系數氧化釩薄膜制備方法，其特征在于，步驟（4）中，以反應濺射時的相同氣氛，在預定溫度300～500℃，以包括紅外快速退火爐的退火裝置，對濺射后的氧化釩薄膜進行2-10分鐘的退火熱處理。