[發(fā)明專利]壓力傳感器的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410111379.3
• 申請(qǐng)日: 2014-03-24
• 公開（公告）號(hào): CN103940535A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊天倫;毛劍宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海麗恒光微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): G01L1/14
• 分類號(hào): G01L1/14;G01L9/12;B81C1/00
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種壓力傳感器的制造方法，其特征在于，包括步驟：?

提供半導(dǎo)體基板，其中內(nèi)嵌有層疊排列的CMOS電路、互連電路以及底部電極板，半導(dǎo)體基板暴露所述底部電極板外圍的互連電路；?

在所述半導(dǎo)體基板上底部電極板的對(duì)應(yīng)位置形成犧牲層；?

在所述犧牲層及所述半導(dǎo)體基板上形成壓力感應(yīng)層；?

去除所述犧牲層，所述壓力感應(yīng)層和半導(dǎo)體基底圍成一個(gè)空腔；?

在所述壓力感應(yīng)層上形成壓力傳導(dǎo)層，其位于空腔的上方；?

其中，所述壓力感應(yīng)層的形成步驟包括：?

在犧牲層上形成鍺硅層；?

對(duì)鍺硅層進(jìn)行激光脈沖照射使其呈熔融態(tài)。?

2.如權(quán)利要求1所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述利用激光脈沖對(duì)鍺硅層進(jìn)行照射，其中鍺硅具體為：Si_1-xGe_x通常X的值在0.5到0.8之間；Si_1-xGe_x的厚度在0到3um之間。?

3.如權(quán)利要求2所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述激光的波長(zhǎng)是290nm-320nm，脈沖持續(xù)時(shí)間是100ns-200ns，能量范圍是0.56J／Cm²-0.64J／Cm².。?

4.如權(quán)利要求2所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述的激光脈沖照射分多次進(jìn)行，290nm-320nm，脈沖持續(xù)時(shí)間是100ns-200ns，能量范圍是0.20J／Cm²-0.40J／Cm²。?

5.如權(quán)利要求2所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述形成壓力感應(yīng)層還包括在形成鍺硅層之前先形成非晶硅層。?

6.如權(quán)利要求1所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述壓力感應(yīng)層的形成步驟還包括在形成鍺硅層之后繼續(xù)形成非晶硅層和鍺硅層的疊層結(jié)構(gòu)。?

7.如權(quán)利要求5所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述非晶硅層的形成方法為L(zhǎng)PCVD，參數(shù)為：溫度范圍為400℃～430℃，氣壓范圍為150mtorr-300mtorr，?形成的非晶硅層的厚度為：0埃-100埃。?