[發(fā)明專利]用于制造可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、器件和器件構(gòu)件的松脫策略

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410111306.4
• 申請日: 2007-09-20
• 公開（公告）號: CN103956336B
• 公開（公告）日: 2019-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·A·羅杰斯;R·G·諾奧;M·梅爾特;高興助;J·尹;E·梅納德;A·J·巴卡
• 申請（專利權(quán)）人: 伊利諾伊大學(xué)評議會
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;B81C1/00;H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/072;H01L31/0725;H01L29/15;H01L29/20
• 代理公司: 北京北翔知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285
• 代理人: 李潔;楊勇

1.一種制造錨定到襯底的可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件的方法，所述方法包括以下步驟：

產(chǎn)生由所述襯底的外表面支撐的所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件；

提供異質(zhì)錨元件，所述異質(zhì)錨元件與所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件物理接觸且沿著所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件的側(cè)邊延伸，并與所述襯底或其上設(shè)置的結(jié)構(gòu)物理接觸，從而將所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件錨定到所述襯底，使得當(dāng)去除在所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件下面的犧牲層時所述異質(zhì)錨元件維持所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件的空間取向。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述異質(zhì)錨元件的所述步驟包括沉積或涂布對所述襯底的一部分進行覆蓋的材料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述材料層覆蓋所述襯底的所述外表面的一部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中產(chǎn)生所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件的所述步驟暴露出所述外表面或其上設(shè)置的結(jié)構(gòu)的一個或多個暴露區(qū)域，其中，所述提供所述異質(zhì)錨元件的步驟包括將所述材料層沉積或涂布在所述外表面或其上設(shè)置的結(jié)構(gòu)的所述暴露區(qū)域的至少一部分上。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述材料層包括薄膜結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述材料層包括阻擋材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述材料層包括SiN或PECVD電介質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述材料層被設(shè)置為與所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件的一側(cè)接觸并沿著該側(cè)延伸，其中所述材料層終止于所述襯底的所述外表面或其上設(shè)置的結(jié)構(gòu)并且與所述襯底的所述外表面或其上設(shè)置的結(jié)構(gòu)接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述材料層包括將所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件的一側(cè)連接到所述襯底的所述外表面或其上設(shè)置的結(jié)構(gòu)的柱結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件包括單個半導(dǎo)體層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件包括具有多個半導(dǎo)體層的多層結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中產(chǎn)生所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件的所述步驟包括提供由所述襯底的外表面支撐的可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件的多層陣列；其中提供所述異質(zhì)錨元件的所述步驟包括沉積或涂布材料層，該材料層接觸在所述多層陣列中的所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件的側(cè)面，并接觸所述襯底的所述外表面或其上設(shè)置的結(jié)構(gòu)的一部分。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述異質(zhì)錨元件用作蝕刻阻止層。

14.一種組裝可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件的方法，所述方法包括以下步驟：

提供權(quán)利要求1所述的錨定到所述襯底的可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件；

通過印刷將所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件轉(zhuǎn)移到器件襯底上。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述通過印刷將所述可轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體元件轉(zhuǎn)移到所述器件襯底上的步驟通過接觸印刷進行。