[發明專利]晶圓后段電容電性測試結構

有效

• 申請號: 201410111285.6
• 申請日: 2014-03-24
• 公開（公告）號: CN103904059B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 莫保章;周波
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 王宏婧

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發明涉及一種晶圓后段電容電性測試結構。

背景技術

晶圓電性測試中電容結構的測試是一項重要的測試項目，在后段電容電性測試工藝中常用到的介電層電容通常有金屬-氧化物-金屬MOM（Metal-Oxide-Metal）結構和金屬-電介質-金屬MIM（Metal-Isolation-Metal）結構等結構。金屬-氧化物-金屬MOM結構和金屬-電介質-金屬MIM結構都屬于金屬平板電容類型，其中利用上下層金屬平板做電容極板，反映了金屬極板與中間介電質的間電學特性。

一般，會利用金屬-氧化物-金屬MOM結構和/或金屬-電介質-金屬MIM結構，通過沿晶圓上下金屬極板測量電容，從而進行晶圓后段電容電性測試。但是，金屬-氧化物-金屬MOM結構和金屬-電介質-金屬MIM結構不能全面地反映工藝制程的能力和穩定性。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠全面地反映工藝制程的能力和穩定性的晶圓后段電容電性測試結構。

為了實現上述技術目的，根據本發明，提供了一種晶圓后段電容電性測試結構，其包括：從第一金屬互連層生長出的第一測試電容板以及從第二金屬互連層生長出的第二測試電容板；其中，所述第一金屬互連層和所述第二金屬互連層平行，并且所述第一金屬互連層和所述第二金屬互連層之間為電介質；而且，所述第一測試電容板總體朝向所述第二金屬互連層伸出，所述第二測試電容板總體朝向所述第一金屬互連層伸出，由此使得所述第一測試電容板與所述第二測試電容板在與所述第一金屬互連層與所述第二金屬互連層平行的方向相垂直的方向上具有重疊。

優選地，所述第一測試電容板與所述第二測試電容板具有相同形狀。

優選地，所述第一測試電容板和所述第二測試電容板均為梳齒狀，而且所述第一測試電容板和所述第二測試電容板交錯布置。

優選地，梳齒狀的所述第一測試電容板與梳齒狀的所述第二測試電容板的形狀相同。

優選地，所述第一金屬互連層為集成電路的頂層金屬互連層。

優選地，所述第二金屬互連層為集成電路的底層金屬互連層。

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據本發明優選實施例的晶圓后段電容電性測試結構的截面圖。

圖2示意性地示出了圖1所示的根據本發明優選實施例的晶圓后段電容電性測試結構的立體視圖。

圖3示意性地示出了根據本發明優選實施例的晶圓后段電容電性測試結構的第一示例。

圖4示意性地示出了根據本發明優選實施例的晶圓后段電容電性測試結構的第二示例。

圖5示意性地示出了根據本發明另一優選實施例的晶圓后段電容電性測試結構。

圖6示意性地示出了根據本發明另一優選實施例的晶圓后段電容電性測試結構。

圖7示意性地示出了根據本發明另一優選實施例的晶圓后段電容電性測試結構。

需要說明的是，附圖用于說明本發明，而非限制本發明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發明的內容進行詳細描述。

在根據本發明優選實施例的晶圓工藝制程中，為了反映工藝制程的能力和穩定性，本發明優選實施例從多個方面、角度進行數據收集和監控。除了沿晶圓上下金屬極板測量電容之外，還需要有更多的電容結構以便對介電層進行全面測量，最終更全面的監控制程和排查制程問題。

根據本發明優選實施例，可以在晶圓生長工藝中，通過光罩、曝光和蝕刻制程，在晶圓中實現介電層縱方向新電性結構。

具體地，圖1示意性地示出了根據本發明優選實施例的晶圓后段電容電性測試結構的截面圖。圖2示意性地示出了圖1所示的根據本發明優選實施例的晶圓后段電容電性測試結構的立體視圖。