[發明專利]提高金屬連線電遷移可靠性的方法在審
| 申請號： | 201410111284.1 | 申請日： | 2014-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN103904025A | 公開（公告）日： | 2014-07-02 |
| 發明（設計）人： | 趙龍;張亮;冷江華 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 金屬 連線 遷移 可靠性 方法 | ||
1.一種提高金屬連線電遷移可靠性的方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：提供一半導體襯底，在其上沉積第一介質層，在所述第一介質層內形成第一金屬層；
S2：在所述第一介質層上沉積第一阻擋層，通過刻蝕形成凹槽，暴露出所述第一金屬層；
S3：形成第一金屬保護層填充所述凹槽；
S4：在S3所形成的結構表面沉積第二介質層，在所述第二介質層上形成第二金屬層。
2.如權利要求1所述的提高金屬連線電遷移可靠性的方法，其特征在于，所述第一介質層與第二介質層為低介電常數材料。
3.如權利要求2所述的提高金屬連線電遷移可靠性的方法，其特征在于，所述第一介質層與第二介質層的材質為SiOCH。
4.如權利要求3所述的提高金屬連線電遷移可靠性的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝沉積第一介質層、第二介質層以及第一阻擋層。
5.如權利要求1所述的提高金屬連線電遷移可靠性的方法，其特征在于，采用單大馬士革工藝形成第一金屬層，采用雙大馬士革工藝形成第二金屬層。
6.如權利要求5所述的提高金屬連線電遷移可靠性的方法，其特征在于，所述第一金屬層與第二金屬層的材質為銅。
7.如權利要求1所述的提高金屬連線電遷移可靠性的方法，其特征在于，所述第一阻擋層的材質為SiN、SiC、SiOC、SiOCN或SiCN。
8.如權利要求1所述的提高金屬連線電遷移可靠性的方法，其特征在于，所述第一金屬保護層的材質為Ti、TiN、Ta、TaN、W、WN或ZrN，或者雙層Ti/TiN、Ta/TaN或W/WN。
9.如權利要求8所述的提高金屬連線電遷移可靠性的方法，其特征在于，采用物理氣相沉積、化學氣相沉積或原子層沉積工藝形成第一金屬保護層。
10.如權利要求9所述的提高金屬連線電遷移可靠性的方法，其特征在于，形成第一金屬保護層之后進行平坦化處理，采用化學機械研磨工藝研磨至第一阻擋層。
11.如權利要求1至10中任意一項所述的提高金屬連線電遷移可靠性的方法，其特征在于，在步驟S4之后還包括：使用相同的工藝形成第二金屬保護層以及后續的金屬層與金屬保護層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
