[發明專利]基于SIW技術的雙極化縫隙天線有效
| 申請號： | 201410111186.8 | 申請日： | 2014-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN103943963A | 公開（公告）日： | 2014-07-23 |
| 發明（設計）人： | 張海力;呂新江;趙啟杰 | 申請（專利權）人： | 紹興市精倫通信科技有限公司 |
| 主分類號： | H01Q13/10 | 分類號： | H01Q13/10 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 312353 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 siw 技術 極化 縫隙 天線 | ||
1.一種基于SIW技術的雙極化縫隙天線，包括帶有過孔的基板，所述基板包括介質層、位于介質層頂面的第一覆銅層、以及位于介質層底面的第二覆銅層，其特征在于，所述第一覆銅層上設有縫隙，所述第二覆銅層上設有饋電端；
所述縫隙繞成矩形，過孔分為兩組且分別處在所述矩形的內外兩側；
所述的饋電端為矩形覆銅片，所述饋電端為2個，且正交排布于介質層底部；
第一組過孔繞成切角矩形，且位于縫隙繞成的矩形的內部，該切角矩形同側的兩個角部為斜邊，所述的斜邊分別與對應饋電端的一組對邊垂直；
第二組過孔繞成開放矩形，且位于縫隙繞成的矩形的外部，該開放矩形同側的兩個角部為開放區域且每個開放區域的位置對應一個斜邊；
第二組過孔在開放區域處沿垂直于對應斜邊方向延伸排列至基板邊緣。
2.如權利要求1所述的基于SIW技術的雙極化縫隙天線，其特征在于，所述縫隙繞成的矩形的周長l為：
其中λ為傳輸微波的波長，ε為介質層的介電常數。
3.如權利要求2所述的基于SIW技術的雙極化縫隙天線，其特征在于，所述過孔的直徑為0.4mm。
4.如權利要求3所述的基于SIW技術的雙極化縫隙天線，其特征在于，相鄰兩個過孔的中心之間的距離為1mm。
5.如權利要求4所述的基于SIW技術的雙極化縫隙天線，其特征在于，第一組過孔中的過孔到所述縫隙繞成矩形的對應邊的距離為7.5mm。
6.如權利要求5所述的基于SIW技術的雙極化縫隙天線，其特征在于，第二組過孔中的過孔到所述縫隙繞成矩形的對應邊的距離為2.6mm。
7.如權利要求6所述的基于SIW技術的雙極化縫隙天線，其特征在于，所述開放矩形的開放區域中延伸排列的過孔到饋電端的相應邊的距離為5.2mm。
8.如權利要求7所述的基于SIW技術的雙極化縫隙天線，其特征在于，所述的介質層的材質為聚四氟乙烯或陶瓷。
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