[發(fā)明專利]半導體結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410110738.3
• 申請日: 2014-03-19
• 公開（公告）號: CN104795447B
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發(fā)明（設計）人: 陳蔚宗;蔡娟娟;辛哲宏;蔡學宏;楊智翔
• 申請（專利權）人: 元太科技工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司11019
• 代理人: 壽寧,張華輝

1.一種半導體結構，配置于基板上，其特征在于該半導體結構包括：

頂柵極；

氧化物半導體通道層，配置于該頂柵極與該基板之間；

第一介電層，配置于該頂柵極與該氧化物半導體通道層之間；

第二介電層，配置于該第一介電層與該氧化物半導體通道層之間，其中該第一介電層的介電系數不同于該第二介電層的介電系數；以及

源極與漏極，配置于該氧化物半導體通道層的相對兩側，且從該氧化物半導體通道層的該相對兩側延伸至該基板的表面上，且位于該第一介電層與該基板之間，其中該氧化物半導體通道層的一部分暴露于該源極與該漏極之間，而部分該第一介電層及部分該第二介電層直接接觸且完全覆蓋該氧化物半導體通道層的該部分，其中該第二介電層直接覆蓋該源極的上表面以及該漏極的上表面。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中該氧化物半導體通道層的材質包括氧化銦鎵鋅、氧化鋅、氧化銦鋅或氧化鋅銦錫。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中該第一介電層與該第二介電層其中的一個為氮化硅層，而該第一介電層與該第二介電層其中的另一個為氧化硅層。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中該氧化物半導體通道層的該部分區(qū)分為第一部分以及環(huán)繞該第一部分的第二部分，部分該第一介電層直接接觸該第一部分而使該第一部分具有第一導電率，而部分該第二介電層直接接觸該第二部分而使該第二部分具有第二導電率，且該第一導電率不同于該第二導電率。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于其中部分該第一介電層與該第一部分的接觸面積及部分該第二介電層與該第二部分的接觸面積的比值介于1/10至10之間。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其還包括：

保護層，配置該基板上且覆蓋該頂柵極與該第一介電層；以及

透明導電層，配置于該保護層上且覆蓋該保護層。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其還包括：

底柵極，配置于該基板上，且位于該氧化物半導體通道層與該基板之間；以及

柵絕緣層，位于該氧化物半導體通道層與該底柵極之間，且覆蓋該基板與該底柵極。

8.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中該第一介電層的厚度大于該第二介電層的厚度。

9.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中該第一介電層覆蓋該第二介電層與該氧化物半導體通道層。

10.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于其中該第二介電層覆蓋該源極、該漏極以及該氧化物半導體通道層。