[發明專利]提高大尺寸硅片器件性能均勻性的方法在審
| 申請號： | 201410110077.4 | 申請日： | 2014-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN103871861A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 刁穎;周飛;羅飛 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 尺寸 硅片 器件 性能 均勻 方法 | ||
1.一種提高大尺寸硅片器件性能均勻性的方法，包括步驟：
提供半導體襯底，所述半導體襯底表面上形成有柵介質層、位于所述柵介質層表面的柵極以及位于所述柵極兩側的第一道側墻；
使用化學酸液去除位于柵極兩側和半導體襯底表面的柵介質層，暴露出半導體襯底；
使用原位水汽生長工藝在半導體襯底表面重新形成柵介質層。
2.如權利要求1所述的提高大尺寸硅片器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述柵介質層的材質為二氧化硅。
3.如權利要求2所述的提高大尺寸硅片器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述化學酸液為氫氟酸。
4.如權利要求3所述的提高大尺寸硅片器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述氫氟酸的濃度比例為HF:H2O=1:200。
5.如權利要求1所述的提高大尺寸硅片器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述原位水汽生長工藝的反應溫度范圍是900℃～1100℃。
6.如權利要求5所述的提高大尺寸硅片器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述原位水汽生長工藝的反應壓強范圍是5Torr～20Torr。
7.如權利要求5所述的提高大尺寸硅片器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述原位水汽生長工藝的反應氣體是氧氣和氫氣。
8.如權利要求7所述的提高大尺寸硅片器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述氧氣的流量范圍是10slm～30slm，所述氫氣的流量范圍是1slm～5slm。
9.如權利要求5所述的提高大尺寸硅片器件性能均勻性的方法，其特征在于，所述原位水汽生長工藝的反應時間范圍是10s～40s。
10.如權利要求1所述的提高大尺寸硅片器件性能均勻性的方法，其特征在于，在使用原位水汽生長工藝在半導體襯底表面重新形成柵介質層之后，對所述柵極兩側的半導體襯底進行輕摻雜漏工藝注入，形成器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
