[發(fā)明專利]對準(zhǔn)圖形及晶圓有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410110062.8 | 申請日： | 2014-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN103872022A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳佳宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 對準(zhǔn) 圖形 | ||
1.一種對準(zhǔn)圖形，其特征在于，用于在測量機(jī)臺上對準(zhǔn)晶圓，所述晶圓包括多個陣列的投影曝光區(qū)域，相鄰的所述投影曝光區(qū)域通過切割道相隔離，所述對準(zhǔn)圖形位于所述投影曝光區(qū)域邊側(cè)的所述切割道內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)圖形，其特征在于，所述對準(zhǔn)圖形至少包括一條第一向線和一第二向線，所述第一向線在第一方向延伸，所述第二向線在第二方向延伸，所述第一方向和第二方向相垂直。
3.如權(quán)利要求2所述的對準(zhǔn)圖形，其特征在于，所述第一向線和第二向線單獨(dú)排列，互不交叉。
4.如權(quán)利要求2所述的對準(zhǔn)圖形，其特征在于，多個所述第一向線組成一排列組，所述對準(zhǔn)圖形包括至少一組所述排列組。
5.如權(quán)利要求4所述的對準(zhǔn)圖形，其特征在于，每個排列組包括2-5個所述第一向線。
6.如權(quán)利要求4所述的對準(zhǔn)圖形，其特征在于，所述對準(zhǔn)圖形包括兩條以上所述第二向線，每相鄰兩條的所述第二向線之間排列至少一組所述排列組。
7.如權(quán)利要求6所述的對準(zhǔn)圖形，其特征在于，每相鄰兩條的所述第二向線之間排列2-4組所述排列組。
8.如權(quán)利要求2所述的對準(zhǔn)圖形，其特征在于，所述對準(zhǔn)圖形還包括一對準(zhǔn)框，所述第一向線和第二向線位于所述對準(zhǔn)框的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求2所述的對準(zhǔn)圖形，其特征在于，所述對準(zhǔn)框與所述第一向線和第二向線位于相鄰的膜層。
10.如權(quán)利要求2所述的對準(zhǔn)圖形，其特征在于，所述第一方向?yàn)樗鼍A的縱向，所述第二方向?yàn)樗鼍A的橫向；或，所述第一方向?yàn)樗鼍A的橫向，所述第二方向?yàn)樗鼍A的縱向。
11.如權(quán)利要求1所述的對準(zhǔn)圖形，其特征在于，所述對準(zhǔn)圖形為方形，所述對準(zhǔn)圖形的邊長為40μm～250μm。
12.一種晶圓，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-11中任意一項所述的對準(zhǔn)圖形。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華力微電子有限公司，未經(jīng)上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410110062.8/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 對準(zhǔn)標(biāo)記,對準(zhǔn)方法和對準(zhǔn)系統(tǒng)
- 對準(zhǔn)裝置及對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置、用于這樣的對準(zhǔn)裝置的對準(zhǔn)元件和對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)標(biāo)記及其對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置和對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置及對準(zhǔn)方法
- 使用物理對準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)
- 使用物理對準(zhǔn)標(biāo)記和虛擬對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)
- 對準(zhǔn)裝置和對準(zhǔn)方法
- 對準(zhǔn)裝置及對準(zhǔn)方法
