[發明專利]一種Flash器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201410109948.0
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN104934378B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 張金霜;楊蕓
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L27/115;H01L23/522
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發明公開了一種Flash器件及其制備方法，通過僅去除位于字線帶狀接觸區的字線帶上表面的氮化硅層，于字線帶頂部形成金屬硅化物層，即通過增強帶狀單元接觸孔內的金屬材料與字線帶上形成的金屬硅化物之間的歐姆接觸來降低字線帶的接觸電阻，相比較現有技術中制備的Flash器件降低了字線帶的接觸電阻，進而提高Flash器件編程（寫）操作能力和擦寫效率，同時有效的改善電容電阻延遲，進一步的提高Flash器件的性能。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種Flash器件及其制備方法。

背景技術

非易失性存儲器（Non-volatile memory簡稱NVM）由于具有可多次進行數據的存入、讀取、擦除等動作，且存入的數據在斷電后也不會消失的優點，因此，非易失性存儲器被廣泛采用在個人電腦和電子設備等。

目前，隨著半導體技術的不斷發展，非易失性存儲器（NVM）的技術節點不斷縮小，當器件尺寸按比例縮小至單元尺寸時，字線帶狀接觸區（Word line strap contact area，簡稱WL strap CT area）中帶狀單元接觸孔內的金屬材料與字線帶之間的接觸電阻（contact resistance）偏大而影響到存儲器的性能，圖1是現有技術中字線帶狀接觸區的結構示意圖，如圖1所示，字線帶狀接觸區中帶狀單元接觸孔3內的金屬材料與字線帶2接觸，由于帶狀單元接觸孔3中的金屬材料與字線帶2的歐姆接觸不強，導致字線帶的電阻偏大，進而引起電容電阻（resistance capacitance簡稱RC）延遲、存儲單元編程（cell PGM）及擦除速度（Erase speed）降低等影響存儲器性能的問題。

因此，如何降低字線帶的電阻從而提高存儲器的性能成為本領域技術人員致力研究的方向。

發明內容

針對上述存在的問題，本發明公開一種Flash器件及其制備方法，以解決現有技術中，因字線帶狀接觸區中帶狀單元接觸孔內的金屬材料與字線帶的歐姆接觸不強，導致字線帶電阻偏大的問題。

為了實現上述目的，本申請記載了一種Flash器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一設置有字線帶狀接觸區和存儲單元器件區的襯底；

于所述襯底的表面依次沉積多晶硅層和氮化硅層后，部分去除所述氮化硅層和所述多晶硅層至所述襯底的表面，以在位于所述存儲單元器件區中的襯底上形成多晶硅柵，在位于字線帶狀接觸區中的襯底上形成字線帶，且剩余的氮化硅層覆蓋所述多晶硅柵和所述字線帶的上表面；

僅去除位于所述字線帶狀接觸區中剩余的氮化硅層，并繼續進行輕摻雜工藝；

沉積一側墻薄膜，且該側墻薄膜將所述字線帶狀接觸區和存儲單元器件區暴露的表面予以覆蓋；

繼續進行源漏極制備工藝；

去除位于所述字線帶上表面的側墻薄膜后，繼續沉積一金屬層；

繼續第一退火工藝，使得部分所述金屬層與所述字線帶反應，以于所述字線帶頂部生成一金屬硅化物層；

去除剩余的金屬層。

上述的Flash器件的制備方法，其中，僅去除位于所述字線帶狀接觸區中剩余的氮化硅層的工藝包括:

于所述襯底上方涂覆一抗反射涂層后，回蝕所述抗反射涂層以將位于所述多晶硅柵和所述字線帶上表面的剩余氮化硅層的上表面及其側壁予以暴露；

繼續旋涂光刻膠覆蓋所述剩余的抗反射涂層的上表面以及所述剩余氮化硅層的上表面及其側壁；

采用圖案化工藝去除位于字線帶狀接觸區的光刻膠后，刻蝕位于所述字線帶上表面的氮化硅層，以將所述字線帶的上表面予以暴露后，并去除剩余的抗反射涂層以及剩余的光刻膠。