[發明專利]離子注入層的光學臨近效應修正方法有效

申請號：	201410109835.0	申請日：	2014-03-24
公開（公告）號：	CN103869598B	公開（公告）日：	2017-05-10
發明（設計）人：	陳翰;魏芳;張旭升;儲志浩	申請（專利權）人：	上海華力微電子有限公司
主分類號：	G03F1/36	分類號：	G03F1/36
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237	代理人：	王宏婧
地址：	201203 上海市***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	離子注入光學臨近效應修正方法
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種離子注入層的光學臨近效應修正方法。

背景技術

在先進光刻工藝中，由于曝光圖形尺寸的縮小，特征尺寸已經接近甚至小于光刻工藝中所使用的光波波長，光學系統的有限分辨率造成的光學臨近效應的影響，造成的掩膜版上的圖形在轉移到晶圓上后發生圖形偏差，特別在圖形相互鄰近的部分，由于光波干涉和衍射作用明顯，圖形偏差會相對更大，例如在線段頂端和圖形拐角處，線寬發生變化、轉角圓化、線長縮短等變形和偏差更加明顯，直接影響器件性能和產品良率。為了消除這種誤差和影響，需要對光掩模圖形進行預先的光學臨近效應修正(Optical Proximity Correction，OPC)，來彌補光學臨近效應。OPC通過對要形成的圖形在掩膜版上進行修正，來彌補光刻工藝中的圖形變形使得轉移到晶圓上的圖形與預期圖形基本符合。隨著技術節點的不斷降低，除了關鍵層次外，離子注入層次也需要進行OPC修正，然而在先進工藝中，由于離子注入層的特殊性，離子注入層的原始版圖通常會由其他層次版圖進行邏輯運算所產生，在離子注入層的原始版圖中會出現一些由邏輯運算產生出來的特殊不規則圖形，其中一種特殊不規則圖形稱為單點相連不規則圖形，該類圖形按照常規的OPC修正方法，容易在修正過程中存在形成橋接現象的風險，從而導致在曝光過程中產生工藝弱點。

為了增加先進工藝中離子注入層的光刻工藝窗口，防止光阻發生倒焦，預處理中需要對原始版圖數據中規定尺寸的“島”以及“洞”圖形進行基于不同規則的預處理放大，然而對于一些由邏輯運算所產生的單點相連的特殊不規則圖形，例如參照附圖1中，圖1中分別用左斜線填充表示原始版圖圖形，右斜線填充表示現有預處理后的圖形，所述原始版圖上包括“島”類非單點相連的圖形101，單點相連的圖形102，圖形102和圖形103在點A處相連，“洞”類圖形109，由圖形104和圖形105在點B和點C處單點相連組成。經過傳統的預處理放大后分別形成圖形102’、圖形103’、圖形104’以及圖形105’，這樣經過OPC修正仿真得到的圖形如圖2所示，圖形202’和203’發生橋接，圖形204’和205’也會發生橋接，。由于預處理會導致不合理圖形的產生，從而影響后續的OPC修正圖形，在曝光過后存在形成橋接現象的風險，導致出現工藝弱點，嚴重影響器件的可靠性和產品的良率。

發明內容

本發明提供一種離子注入層的光學臨近效應修正方法，以克服現有對離子注入層的OPC修正過程中產生不合理圖形，導致出現工藝弱點的狀況，提高了OPC修正的準確性及效率。

為解決以上問題，本發明提供一種離子注入層的光學臨近效應修正方法，包括：提供相關層的版圖，通過邏輯計算得到離子注入層的原始版圖；

將所述原始版圖中單點相連的圖形和非單點相連圖形分離開；

對單點相連的圖形中非單點相連處的邊進行放大處理，對單點相連處的邊不進行放大處理，對非單點相連圖形進行放大處理；

合并預處理后的單點相連的圖形和非單點相連圖形，得到離子注入層的預處理版圖數據；

對所述預處理版圖數據進行OPC修正，獲得圖形數據。

可選的，將所述原始版圖中單點相連的圖形和非單點相連圖形分離開的方法包括：

根據判定方法選出原始版圖中單點相連的點；

將與單點相連的點相連的邊從原始版圖中分離去除。

可選的，所述判定方法為：所述原始版圖按照設計時的最小格點分成多個片段，當原始版圖上任意一個圖形的任意一個頂點與另一圖形的任意一頂點處于同一格點之上，且從該格點延伸出來的片段中的圖形的邊未重疊，則判斷該點為單點相連的點。

可選的，所述最小格點尺寸為0.01nm～10nm。