[發(fā)明專利]激光加工方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410109769.7
• 申請日: 2008-10-27
• 公開（公告）號: CN103934578A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 熊谷正芳
• 申請（專利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會社
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;B23K26/064;B23K26/08;B23K26/0622;B23K26/40;B23K101/40
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

本申請是申請日為2008年10月27日、申請?zhí)枮?u style=single>200880103871.9、發(fā)明名稱為激光加工方法的專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于沿著切斷預(yù)定線將具備GaAs基板的板狀的加工對象物切斷的激光加工方法。

背景技術(shù)

作為現(xiàn)有的上述技術(shù)領(lǐng)域的激光加工方法，已知有使聚光點對準具備Si基板的板狀的加工對象物的內(nèi)部并照射激光，沿著加工對象物的切斷預(yù)定線，在Si基板上形成作為切斷的起點的改質(zhì)區(qū)域（例如參照專利文獻1）。

專利文獻1：日本特開2004-343008號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的問題

然而，針對具備GaAs基板的板狀的加工對象物，期待可使切斷的可靠性進一步提高的改質(zhì)區(qū)域的形成技術(shù)。

因此，本發(fā)明有鑒于上述的問題，其目的在于，提供一種對于具備GaAs基板的板狀的加工對象物、能夠形成作為切斷的起點的功能極佳的改質(zhì)區(qū)域的激光加工方法。

解決問題的方法

本發(fā)明者為了達成上述目的而進行了深入探討，結(jié)果發(fā)現(xiàn)：對于具備GaAs基板的板狀的加工對象物，為了形成作為切斷的起點的功能極佳的改質(zhì)區(qū)域，照射于加工對象物的脈沖激光的脈沖寬度是相當重要的因素。即從通過在31ns～54ns的脈沖寬度下照射脈沖激光而在GaAs基板上形成的改質(zhì)區(qū)域，易于在加工對象物的厚度方向上產(chǎn)生龜裂。另一方面，從通過在比31ns短的脈沖寬度或者比54ns長的脈沖寬度下照射脈沖激光而在GaAs基板上形成的改質(zhì)區(qū)域，難以在加工對象物的厚度方向上產(chǎn)生龜裂。本發(fā)明者基于該認知而進一步進行了探討，直至完成本發(fā)明。

即本發(fā)明所涉及的激光加工方法，其特征在于，是使聚光點對準具備GaAs基板的板狀的加工對象物的內(nèi)部并照射激光，從而沿著加工對象物的切斷預(yù)定線，在GaAs基板上形成將成為切斷的起點的改質(zhì)區(qū)域的激光加工方法，激光為脈沖激光，且激光的脈沖寬度為31ns～54ns。

在該激光加工方法中，通過在31ns～54ns的脈沖寬度下照射激光，從而沿著切斷預(yù)定線在GaAs基板上形成作為切斷的起點的改質(zhì)區(qū)域。由此，沿著切斷預(yù)定線而在GaAs基板上形成的改質(zhì)區(qū)域，易于在加工對象物的厚度方向上產(chǎn)生龜裂。因此，根據(jù)該激光加工方法，對于具備GaAs基板的板狀的加工對象物，能夠形成作為切斷的起點的功能極佳的改質(zhì)區(qū)域。

在本發(fā)明所涉及的激光加工方法中，優(yōu)選，激光的脈沖間距（pitch）為7.5μm～10μm。在該情況下，對于具備GaAs基板的板狀的加工對象物，能夠形成作為切斷的起點的功能進一步更佳的改質(zhì)區(qū)域。在此，激光的脈沖間距是指：將“激光的聚光點相對于加工對象物的掃描速度（移動速度）”除以“脈沖激光的重復(fù)頻率”的數(shù)值。

在本發(fā)明所涉及的激光加工方法中，優(yōu)選，在形成改質(zhì)區(qū)域后，以改質(zhì)區(qū)域為起點，沿著切斷預(yù)定線將加工對象物切斷。在該情況下，能夠沿著切斷預(yù)定線高精度地切斷加工對象物。

在本發(fā)明所涉及的激光加工方法中，改質(zhì)區(qū)域可以包含熔融處理區(qū)域。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，對于具備GaAs基板的板狀的加工對象物，能夠形成作為切斷的起點的功能極佳的改質(zhì)區(qū)域。

附圖說明

圖1是用來形成改質(zhì)區(qū)域的激光加工裝置的大致構(gòu)成圖。

圖2是作為改質(zhì)區(qū)域的形成對象的加工對象物的平面圖。

圖3是沿著圖2的加工對象物的III-III線的截面圖。

圖4是激光加工后的加工對象物的平面圖。

圖5是沿著圖4的加工對象物的V-V線的截面圖。

圖6是沿著圖4的加工對象物的VI-VI線的截面圖。

圖7是表示激光加工后的硅片的切斷面的照片的圖。

圖8是表示激光的波長和硅基板的內(nèi)部的透過率之間的關(guān)系的圖。

圖9是表示激光的峰值功率密度和裂紋點的大小之間的關(guān)系的圖。

圖10是表示適用于本實施方式所涉及的激光加工方法的加工對象物的平面圖。

圖11是沿著圖10的加工對象物的切斷預(yù)定線的部分截面圖。

圖12是用來說明本實施方式所涉及的激光加工方法的加工對象物的部分截面圖。

圖13是用來說明本實施方式所涉及的激光加工方法的加工對象物的部分截面圖。