[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201410109573.8
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN104934541A
• 公開（公告）日: 2015-09-23
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;張振華;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及有機電致發光領域，特別涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件（Organic?light-emitting?Devices，簡稱OLEDs）是一種使用有機發光材料的多層發光器件，包括依次層疊的陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極。OLED的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO），電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。

在典型的有機電致發光器件中，空穴的注入效率和傳輸能力普遍高于電子,相當一部分空穴構成漏電流，降低了發光效率，也對器件壽命構成不利影響。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提供了一種有機電致發光器件，該有機電致發光器件包括電子阻擋層和空穴阻擋層，該有機電致發光器件空穴阻擋層可以較好的阻擋空穴，避免空穴在電子傳輸層中復合，提高光的反射，提高出光效率；所述電子阻擋層可有效阻擋電子穿越到空穴傳輸層中復合影響發光效率，有利于空穴的傳輸，最終提高有機電致發光器件的發光效率。本發明還提供了該有機電致發光器件的制備方法。

第一方面，本發明提供了一種有機電致發光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述電子阻擋層的材質為雙極性有機材料和鋅化合物形成的混合材料，所述雙極性有機材料為2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪（TRZ4）、2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶（2,6Dczppy）、3',3″-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）雙（N,N-二（聯苯基）-4-氨）(p-TPAm-NTAZ)或2,5-雙（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑(CzOXD)，所述鋅化合物為氧化鋅（ZnO）、氯化鋅（ZnCl₂）或硫化鋅（ZnS）；

所述空穴阻擋層的材質為金屬硫化物和磷光材料形成的混合材料，所述金屬硫化物為硫化鋅（ZnS）、硫化鎂（MgS）、硫化銅（CuS）或硫化鈉（NaS），所述磷光材料為雙（4,6-二氟苯基吡啶-N,C2）吡啶甲酰合銥（FIrpic）、二（2-甲基-二苯基喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥（Ir(MDQ)₂(acac)）、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)₃）或三（2-苯基吡啶）合銥(Ir(ppy)₃)。

優選地，所述雙極性有機材料和鋅化合物的質量比為15:1～40:1。在所述質量比情況下，所述電子阻擋層能有效地阻擋電子穿越到空穴傳輸層而造成激子復合界面的改變，提高有機電致發光器件的發光效率，同時，所述雙極性有機材料和鋅化合物更容易摻雜在一起，得到的混合材料不易團聚。

優選地，所述金屬硫化物和磷光材料的質量比為8:1～20:1。在所述質量比情況下，所述空穴阻擋層既可以避免空穴在電子傳輸層中復合，又可以提高光的反射，提高出光效率；同時，所述金屬硫化物和磷光材料更容易摻雜在一起。

優選地，所述電子阻擋層的厚度為10～20nm，所述空穴阻擋層的厚度為10～40nm。

本發明所述電子阻擋層的材質為雙極性有機材料和鋅化合物形成的混合材料，雙極性有機材料可提高空穴的傳輸速率，從而提高空穴-電子的復合幾率，鋅化合物能帶較寬，其功函數較高，可有效阻擋電子穿越到空穴傳輸層而造成激子復合界面的改變；本發明空穴阻擋層的材質為金屬硫化物與磷光材料形成的混合材料，可以較好的阻擋空穴，避免空穴在電子傳輸層中復合，金屬硫化物蒸鍍成膜后對光有較強的反射作用，可提高光的反射，提高出光效率；磷光材料性質穩定，磷光材料和發光層的發光材料性質相近，它們之間的勢壘會消除，有利于電子注入到發光層，同時，當電子和空穴在發光層形成激子后，激發能量從發光層的發光材料遷移到磷光材料，磷光材料通過能態躍遷發光，因此可進一步提高器件的發光效率。

優選地，所述玻璃為市售玻璃。

優選地，所述陽極為銦錫氧化物（ITO）、鋁鋅氧化物（AZO）或銦鋅氧化物（IZO），厚度為50～300nm，更優選地，所述陽極為ITO，厚度為110nm。