[發明專利]一種電致變色顯示器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201410108852.2
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN103969905A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 徐少穎;侯學成
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/153
• 分類號: G02F1/153;G02F1/155
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種電致變色顯示器件，所述顯示器件包括多個電致變色像素，每個所述電致變色像素包括依次形成在透明基底上的第一導電層、電致變色層、第二導電層，相鄰的所述電致變色像素之間設置有開口區，其特征在于，所述開口區設置有薄膜晶體管以及數據電極；

所述薄膜晶體管的柵極、源極、漏極以及所述數據電極的投影覆蓋所述開口區，所述薄膜晶體管的柵極、源極、漏極以及所述數據電極由不透光的材質制備。

2.根據權利要求1所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述不透光的材質為金屬。

3.根據權利要求1所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極與第一電致變色像素的第一導電層相連，所述薄膜晶體管漏極的投影與所述第一電致變色像素電致變色層的投影相交；

所述數據電極與相鄰設置于所述第一電致變色像素的第二電致變色像素的第二導電層相連。

4.根據權利要求1所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極與第一電致變色像素的第一導電層相連，所述薄膜晶體管漏極的投影與所述第一電致變色像素電致變色層的投影不相交，所述相鄰電致變色像素開口區內還設置有一遮蔽電極；所述遮蔽電極的投影覆蓋第一電致變色像素電致變色層的投影與薄膜晶體管漏極的投影之間的間隙；

所述數據電極與相鄰設置于所述第一電致變色像素的第二電致變色像素的第二導電層相連。

5.根據權利要求1所述的電致變色顯示器件，其特征在于，

所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極與第一電致變色像素的第二導電層相連；

所述數據電極與相鄰設置于所述第一電致變色像素的第二電致變色像素的第一導電層相連，所述數據電極的投影與所述第二電致變色像素電致變色層的投影相交。

6.根據權利要求1所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極與第一電致變色像素的第二導電層相連；

所述數據電極與相鄰設置于所述第一電致變色像素的第二電致變色像素的第一導電層相連，所述數據電極的投影與所述第二電致變色像素電致變色層的投影不相交，所述第二電致變色像素的第二導電層還連接設置有遮蔽電極，所述遮蔽電極的投影覆蓋所述第二電致變色像素電致變色層的投影與所述數據電極的投影之間的間隙。

7.根據權利要求1-6任一項所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述數據電極與所述薄膜晶體管的柵極同層制備形成。

8.根據權利要求4所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述遮蔽電極與所述薄膜晶體管的柵極同層制備形成。

9.根據權利要求6所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述遮蔽電極與所述薄膜晶體管的漏極同層制備形成。

10.一種電致變色顯示器件的制備方法，其特征在于，包括：

在透明基底上形成多個電致變色像素，每個所述電致變色像素包括依次形成于所述透明基底上的第一導電層、電致變色層和第二導電層，相鄰的所述電致變色像素之間設置有開口區；

在所述開口區形成薄膜晶體管和數據電極，所述薄膜晶體管的柵極、源極、漏極和所述數據電極由不透光的材質制備，所述薄膜晶體管的柵極、源極、漏極以及所述數據電極的投影覆蓋所述開口區。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述不透光的材質為金屬。

12.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述在所述開口區形成薄膜晶體管和數據電極，包括：

在所述開口區形成有源層；

在形成了所述有源層的所述開口區，形成所述源極和所述漏極，所述漏極與第一電致變色像素的第一導電層相連，所述漏極的投影與所述第一電致變色像素的電致變色層的投影相交；

在形成了所述源極和所述漏極的所述開口區，形成絕緣層；

在形成了所述絕緣層的所述開口區，形成所述柵極和所述數據電極，所述數據電極與相鄰設置于所述第一電致變色像素的第二電致變色像素的第二導電層相連。