[發明專利]大氣壓離子源飛行時間質譜儀的離子富集引入裝置與方法

有效

• 申請號: 201410108444.7
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN103903955B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 朱輝;莫婷;孫寧;黃正旭;高偉;周振
• 申請（專利權）人: 廣州禾信分析儀器有限公司;昆山禾信質譜技術有限公司
• 主分類號: H01J49/04
• 分類號: H01J49/04;H01J49/40
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司44205
• 代理人: 譚英強

1.一種大氣壓離子源飛行時間質譜儀的離子富集引入裝置，其特征在于：包括離子依次通過的富集裝置和推斥裝置，所述富集裝置包括密閉空腔，所述密閉空腔內設有射頻四級桿，所述射頻四級桿的兩端為設有離子入口的第一電極和設有離子出口的第二電極，所述第一電極上接有直流電源，所述第二電極上接有高壓脈沖電源。

2.根據權利要求1所述的大氣壓離子源飛行時間質譜儀的離子富集引入裝置，其特征在于：所述射頻四級桿包括相互平行的四根圓桿，相鄰的圓桿之間設有方桿，所述方桿相對圓桿的軸向成一夾角，且所述各方桿接有直流電源。

3.根據權利要求1或2所述的大氣壓離子源飛行時間質譜儀的離子富集引入裝置，其特征在于：所述富集裝置和推斥裝置之間依次設有直流靜電四極桿和一維單透鏡。

4.一種使用權利要求1至3中任一項所述的裝置進行的離子富集引入方法，其特征在于：在第一電極施加直流電源，在第二電極上施加高壓脈沖電源，使第一電極和第二電極之間形成方向變換且電場方向周期可調的電場，同時借助射頻四極桿的冷卻聚焦原理將離子囚禁富集在射頻四極桿中，通過調節第二電極的脈寬來調節離子的富集時間與引出時間。

5.根據權利要求4所述的大氣壓離子源飛行時間質譜儀的離子富集引入方法，其特征在于：離子進入富集裝置后，在射頻電壓的作用下聚焦在射頻四級桿中軸線附近，當第二電極的電位為高電平時，離子在反向電場力的作用下被擋在富集裝置末端，離子在富集裝置末端富集的時間為第二電極高電平時間，當第二電極的電位為低電平時，富集的離子被釋放后進入推斥裝置。

6.根據權利要求5所述的大氣壓離子源飛行時間質譜儀的離子富集引入方法，其特征在于：對推斥裝置的推斥板施加脈沖信號，通過調整該脈沖信號相對于第二電極高壓脈沖電源脈沖信號的延時時間，來選擇不同的目標離子進入飛行時間質量分析器。