[發明專利]一種疏水分離膜表面接枝超支化PEG改善其抗污性能的方法

有效

• 申請號: 201410108325.1
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN103962011B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: 何春菊;趙新振;馬博謀;秦愛文;劉大朋;李翔
• 申請（專利權）人: 東華大學
• 主分類號: B01D67/00
• 分類號: B01D67/00;B01D71/78
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司31001
• 代理人: 翁若瑩

1.一種疏水分離膜表面接枝超支化PEG改善其抗污性能的方法，其特征在于，具體步驟包括：

步驟1：將疏水分離膜置于等離子體處理裝置中進行等離子體放電處理；

步驟2：將放電處理后的疏水分離膜采用“Grafting from”或“Grafting to”方法表面接枝超支化PEG，其中，所述的“Grafting from”的具體步驟包括：

步驟2.1：將疏水性分離膜先后置于TMC溶液和PEG溶液中進行反應；

步驟2.2：重復進行步驟2.1至少一次，并用去離子水清洗待用；

所述的“Grafting to”方法的具體步驟包括：將疏水性分離膜置于預先制備的端酰氯基的超支化PEG溶液中，直接進行接枝反應，使用去離子水清洗待用。

2.如權利要求1所述的疏水分離膜表面接枝超支化PEG改善其抗污性能的方法，其特征在于，所述的疏水分離膜為平板膜或者中空膜。

3.如權利要求1所述的疏水分離膜表面接枝超支化PEG改善其抗污性能的方法，其特征在于，所述的疏水分離膜為聚丙烯、聚醚砜、聚砜、聚偏氟乙烯或聚四氟乙烯膜。

4.如權利要求1所述的疏水分離膜表面接枝超支化PEG改善其抗污性能的方法，其特征在于，所述的等離子體處理裝置為常壓或低壓等離子體處理裝置，等離子體放電處理的功率為50-500W，處理時間30-300s，處理氣氛為空氣、氧氣、氬氣或氦氣。

5.如權利要求1所述的疏水分離膜表面接枝超支化PEG改善其抗污性能的方法，其特征在于，所述的步驟2.1中，TMC溶液的質量分數為0.1％-1％，溶劑為正己烷，PEG的分子量為400-20000，PEG溶液的質量分數為1％-5％，溶劑為二氯甲烷。

6.如權利要求1所述的疏水分離膜表面接枝超支化PEG改善其抗污性能的方法，其特征在于，所述的端酰氯基的超支化PEG溶液的制備方法為：將TMC和PEG按照摩爾比14∶13共混于二氯甲烷溶劑中，得到端酰氯基的超支化PEG溶液，其中，PEG的數均分子量為400-4000。