[發(fā)明專利]一種釹鐵硼稀土永磁器件的復(fù)合鍍膜設(shè)備及制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410107511.3
• 申請(qǐng)日: 2014-03-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103820765A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-05-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳曉東;孫寶玉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 沈陽(yáng)中北真空設(shè)備有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/06;H01F41/02
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種釹鐵硼稀土永磁器件的復(fù)合鍍膜設(shè)備?，其特征在于：所述的復(fù)合鍍膜設(shè)備包括真空鍍膜室、圓柱陰極磁控靶、平面陰極磁控靶、陰極多弧離子靶、陽(yáng)極層線性離子源、轉(zhuǎn)架和料筐；所述的真空鍍膜室由真空殼體、前門(mén)和后蓋組成，前門(mén)和真空殼體通過(guò)橡膠密封圈密封，后蓋或者焊接在真空殼體上或者通過(guò)連接件連接；轉(zhuǎn)架設(shè)計(jì)在真空鍍膜室內(nèi)，通過(guò)轉(zhuǎn)軸支撐在框架上，框架固定在真空殼體上；轉(zhuǎn)架的軸線與真空殼體的軸線平行，網(wǎng)狀料筐兩端有轉(zhuǎn)軸安裝在轉(zhuǎn)架上，轉(zhuǎn)軸的軸線與轉(zhuǎn)架的軸線平行，轉(zhuǎn)架圍繞真空殼體的軸線公轉(zhuǎn)，網(wǎng)狀料筐即隨轉(zhuǎn)架一起公轉(zhuǎn)又自轉(zhuǎn)；所述的圓柱陰極磁控靶安裝在真空鍍膜室內(nèi)的后蓋上，電源、冷卻水和傳動(dòng)裝置由外部引入，圓柱陰極磁控靶位于轉(zhuǎn)架的內(nèi)部，軸線與轉(zhuǎn)架軸線平行；圓柱陰極磁控靶設(shè)置為一個(gè)以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的復(fù)合鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述的圓柱陰極磁控靶內(nèi)裝有多個(gè)軸向充磁的磁環(huán)，磁環(huán)間有導(dǎo)磁環(huán)，磁環(huán)相對(duì)于圓柱陰極磁控靶軸向往復(fù)移動(dòng)，所述的磁環(huán)由釹鐵硼稀土永磁制造。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的復(fù)合鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述的圓柱陰極磁控靶內(nèi)或者裝有多條徑向充磁的磁條，磁條在圓柱陰極磁控靶內(nèi)沿著圓周分布，磁條間有間隔，磁條的數(shù)量為3條或者3條以上，磁條相對(duì)于圓柱陰極磁控靶材套管同軸轉(zhuǎn)動(dòng)，所述的磁條由釹鐵硼稀土永磁制造。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的復(fù)合鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述的平面陰極磁控靶安裝在真空殼體上，分布在轉(zhuǎn)架的外圍，所述的平面陰極磁控靶內(nèi)設(shè)置有跑道形狀的環(huán)形磁條，磁條由釹鐵硼稀土永磁制造，用冷卻水冷卻，數(shù)量為一個(gè)以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的復(fù)合鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述的陰極多弧離子靶安裝在真空殼體上，分布在轉(zhuǎn)架的外圍，所述的陰極多弧離子靶為方形或圓形，內(nèi)部設(shè)置有磁鐵，磁鐵由釹鐵硼稀土永磁制造，用冷卻水冷卻，數(shù)量為一個(gè)以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的復(fù)合鍍膜設(shè)備，其特征在于：所述的陽(yáng)極層線性離子源安裝在真空殼體上，分布在轉(zhuǎn)架的外圍。

7.一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：首先進(jìn)行合金熔煉，在熔融狀態(tài)下將合金澆鑄到帶水冷卻的旋轉(zhuǎn)銅輥上冷卻形成合金片,接著進(jìn)行氫破碎，氫破碎后進(jìn)行混料，混料后進(jìn)行氣流磨，之后在氮?dú)獗Ｗo(hù)下用混料機(jī)混料后送到氮?dú)獗Ｗo(hù)磁場(chǎng)取向壓機(jī)成型，成形后在保護(hù)箱內(nèi)封裝，然后取出進(jìn)行等靜壓，之后送入燒結(jié)設(shè)備燒結(jié)和時(shí)效制成釹鐵硼稀土永磁磁體，之后進(jìn)行機(jī)械加工制成釹鐵硼稀土永磁器件，之后在真空鍍膜室內(nèi)對(duì)釹鐵硼稀土永磁器件進(jìn)行磁控濺射鍍膜和多弧離子鍍的復(fù)合鍍膜，鍍膜共分3層，第一層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為：0.02-5μm，第二層為磁控濺射和多弧離子鍍的復(fù)合鍍層，鍍層厚度為：1-10μm，第三層為磁控濺射鍍層，鍍層厚度為：?0.1-5μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的真空鍍膜室內(nèi)設(shè)置有加熱器，加熱溫度范圍在30-600℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的鍍膜工序后還有熱處理工序，熱處理溫度60-900℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的真空鍍膜室內(nèi)設(shè)置有陽(yáng)極層線性離子源，所述的磁控濺射鍍膜條件為，溫度30~600℃，沉積壓強(qiáng)為氬氣條件下0.1~1Pa,功率密度為1~20w/cm2，線性離子源的放電電壓100~3000V，離子能量100~2000eV,氬氣條件下工作氣壓0.01~1Pa，所述的鍍膜工序中采用磁控濺射鍍膜和多弧離子鍍膜單獨(dú)、交替或同時(shí)進(jìn)行工作。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種釹鐵硼稀土永磁器件的制造方法，其特征在于：所述的復(fù)合鍍膜屬于物理氣相沉積，磁控鍍膜材料為Al、Dy-Al、Tb-Al、Dy-Fe、Tb-Fe、Ti、Mo、Si、不銹鋼、Al₂O₃、ZrO、AZO中的一種,?所述的磁控濺射和多弧離子鍍的復(fù)合鍍層，鍍膜材料為Al、Ti、Mo、Si、不銹鋼、Al₂O₃、ZrO、ITO、AZO中的一種以上。