[發明專利]氮化鎵基發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201410107433.7
• 申請日: 2014-03-21
• 公開（公告）號: CN103996766B
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 藍永凌;張家宏;卓昌正;林兓兓;謝翔麟;謝祥彬;徐志波
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
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1.氮化鎵基發光二極管，包括：襯底、緩沖層、N型層、多量子阱有源層和P型層，其特征在于：所述多量子阱有源層由InGaN量子阱與InAlN量子壘結構組成，當所述InAlN量子壘中In組份為0.15～0.40，Al組份為0.60～0.85，且所述InGaN量子阱中In組份為0.1～0.25時，所述量子阱與所述量子壘的晶格常數相同。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述InAlN量子壘厚度為10?～180?。

3.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述InGaN量子阱厚度為10?～50?。

4.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述InAlN量子壘摻雜濃度小于5×10¹⁸ /cm³。

5.氮化鎵基發光二極管的制備方法，其步驟包括：

在一襯底上形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成N型層；

在所述N型層上形成多量子阱有源層；

在所述多量子阱有源層上形成P型層；

其特征在于，所述形成的多量子阱有源層由InGaN量子阱層與InAlN量子壘層組成，且所述量子阱與所述量子壘的晶格常數及生長溫度均相同，具體地，在生長溫度為700℃~800℃、生長壓力為150torr～400torr、InAlN量子壘中In組份為0.15～0.40，Al組份為0.60～0.85、 InGaN量子阱中In組份為0.1～0.25的條件下生長多量子阱有源層。