[發明專利]電路裝置以及電子設備有效
| 申請號: | 201410106661.2 | 申請日: | 2014-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN104079286B | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發明(設計)人: | 井上勝己 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H03K19/0175 | 分類號: | H03K19/0175 |
| 代理公司: | 北京金信知識產權代理有限公司11225 | 代理人: | 黃威,蘇萌萌 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電路 裝置 以及 電子設備 | ||
1.一種電路裝置,其特征在于,包括:
H橋型或半橋型的橋接電路,其具有P型的第一晶體管和N型的第二晶體管,其中,所述P型的第一晶體管被設置在高電位側電源的節點與第一節點之間,所述N型的第二晶體管被設置在所述第一節點與低電位側電源的節點之間;
前級驅動器電路,其向所述第一晶體管的第一柵極節點輸出第一驅動信號,向所述第二晶體管的第二柵極節點輸出第二驅動信號;
第一開關電路,其被設置在所述高電位側電源的節點與所述第一晶體管的所述第一柵極節點之間;
控制電路,其實施對所述第一開關電路的導通、斷開控制,
在所述前級驅動器電路向所述第一晶體管的所述第一柵極節點輸出低電平的所述第一驅動信號的期間內,所述控制電路將所述第一開關電路設為斷開,
在所述前級驅動器電路使所述第一驅動信號由低電平變化到高電平之后,所述控制電路將所述第一開關電路從斷開設為導通。
2.如權利要求1所述的電路裝置,其特征在于,
所述控制電路在從所述前級驅動器電路使所述第一驅動信號由低電平變化到高電平的時刻起經過了所給的期間后的時刻,將所述第一開關電路從斷開設為導通。
3.如權利要求2所述的電路裝置,其特征在于,
所述控制電路在與所述前級驅動器電路使所述第一驅動信號由高電平向低電平變化的時刻相比提前了所給的期間的時刻,將所述第一開關電路從導通設為斷開。
4.如權利要求1至3中任一項所述的電路裝置,其特征在于,
還包括電平轉換器,
所述前級驅動器電路具有第一前級驅動器,所述第一前級驅動器向所述第一晶體管的所述第一柵極節點輸出所述第一驅動信號,
在將所述高電位側電源的電壓設為VBB,將所述低電位側電源的電壓設為VSS,并將所述高電位側電源與所述低電位側電源之間的第二低電位側電源的電壓設為VSS2時,
所述第一前級驅動器向所述第一晶體管的所述第一柵極節點輸出VBB~VSS2的振幅范圍的所述第一驅動信號,
所述電平轉換器將使所述第一開關電路導通、斷開的控制信號的振幅范圍向VBB~VSS2的振幅范圍進行電平轉換,
其中,VBB>VSS2>VSS。
5.如權利要求4所述的電路裝置,其特征在于,
所述第一晶體管和所述第二晶體管為高耐壓晶體管,
構成所述前級驅動器電路和所述第一開關電路的晶體管為低耐壓晶體管。
6.如權利要求5所述的電路裝置,其特征在于,
所述第一晶體管和所述第二晶體管為雙擴散金屬氧化物半導體結構的晶體管。
7.如權利要求6所述的電路裝置,其特征在于,
包括第二開關電路,所述第二開關電路被設置在所述低電位側電源的節點與所述第二晶體管的所述第二柵極節點之間,
在所述前級驅動器電路向所述第二晶體管的所述第二柵極節點輸出高電平的所述第二驅動信號的期間內,所述控制電路將所述第二開關電路設為斷開,
在所述前級驅動器電路使所述第二驅動信號由高電平變化到低電平時,所述控制電路將所述第二開關電路從斷開設為導通。
8.如權利要求7所述的電路裝置,其特征在于,
所述控制電路在從所述前級驅動器電路使所述第二驅動信號由高電平變化到低電平的時刻起經過了所給的期間后的時刻,將所述第二開關電路從斷開設為導通。
9.如權利要求8所述的電路裝置,其特征在于,
所述控制電路在與所述前級驅動器電路使所述第二驅動信號由低電平向高電平變化的時刻相比提前了所給的期間的時刻,將所述第二開關電路從導通設為斷開。
10.如權利要求4所述的電路裝置,其特征在于,
包括檢測電路,所述檢測電路對所述第一晶體管的所述第一柵極節點的電壓電平的變化進行檢測,
所述控制電路根據由所述檢測電路檢測到的檢測結果,而生成使所述第一開關電路導通、斷開的控制信號。
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