[發明專利]一種場效應晶體管的制備方法

無效

• 申請號: 201410106643.4
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN103887341A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 高劍琴
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種場效應晶體管的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

步驟1.在一襯底上以刻蝕工藝形成U型源漏區；

步驟2.以氫氧化鉀溶液對所述源漏區進行腐蝕；

步驟3.采用酸液體對所述源漏區表面的自然氧化層進行清洗；

步驟4.以外延生長工藝于所述源漏區內形成緩沖層。

2.如權利要求1所述場效應晶體管的制備方法，其特征在于，步驟1中所述刻蝕工藝為干法刻蝕、濕法刻蝕或干濕法刻蝕。

3.如權利要求1所述場效應晶體管的制備方法，其特征在于，步驟2中采用氫氧化鉀溶液的濃度為1摩爾/升，腐蝕的時間為28秒～32秒，腐蝕的條件為常溫。

4.如權利要求1所述場效應晶體管的制備方法，其特征在于，在步驟3與步驟4之間，以氫氣或者氫氣與氯化氫的混合氣體對所述襯底進行烘烤。

5.如權利要求1所述場效應晶體管的制備方法，其特征在于，還包括步驟5，以外延生長工藝于所述緩沖層上形成應變材料層。

6.如權利要求5所述場效應晶體管的制備方法，其特征在于，所述應變材料層中摻雜有高濃度的摻雜物。

7.如權利要求5所述場效應晶體管的制備方法，其特征在于，所述應變材料層與所述緩沖層材料相同。

8.如權利要求1所述場效應晶體管的制備方法，其特征在于，所述緩沖層采用的材料為：摻雜有硼離子的SiGe。

9.如權利要求6所述場效應晶體管的制備方法，其特征在于，所述的緩沖層的摻雜濃度由底部至頂部從零逐漸增加到所述應變材料層的摻雜濃度相同，且所述的緩沖層的摻雜濃度變化為線性變化或階梯型變化。

10.如權利要求1所述場效應晶體管的制備方法，其特征在于，所述酸液體為氫氟酸。