[發(fā)明專利]一種穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410106627.5
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN103903963A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧梅梅;李健;張旭升
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/02
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法，應(yīng)用于MIM電容器件的制備工藝中，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供一由下至上依次包含有阻擋層、MIM下極板層、MIM介質(zhì)層和MIM上極板層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；

在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上表面制備一層氮化硅層；

在所述氮化硅層的上表面制備一層氧化層；

在所述氧化層的上表面制備光刻膠并進(jìn)行針對MIM上電極刻蝕的光刻工藝；

其中，所述氮化硅層和所述氧化層均在同一工藝腔室中原位形成。

2.如權(quán)利要求1所述的穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法，其特征在于，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝制備所述氮化硅層和所述氧化層。

3.如權(quán)利要求2所述的穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法，其特征在于，以SiN₄和NH₃為原料制備所述氮化硅層。

4.如權(quán)利要求3所述的穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法，其特征在于，以氧氣為原料在所述氮化硅層的上表面形成所述氧化層。

5.如權(quán)利要求3所述的穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法，其特征在于，以N₂O為原料在所述氮化硅層的上表面形成所述氧化層。

6.如權(quán)利要求1所述的穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法，其特征在于，所述氧化層的材質(zhì)為二氧化硅。

7.一種穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法，應(yīng)用于MIM電容器件的制備工藝中，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供一由下至上依次包含有阻擋層、MIM下極板層和經(jīng)過刻蝕后形成的MIM上電極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；

在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上表面制備一層氮化硅層；

在所述氮化硅層的上表面制備一層氧化層；

在所述氧化層的上表面制備光刻膠并進(jìn)行針對MIM上電極刻蝕的光刻工藝；

其中，所述氮化硅層和所述氧化層均在同一工藝腔室中原位形成。

8.如權(quán)利要求7所述的穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法，其特征在于，所述MIM上電極結(jié)構(gòu)由下至上依次包括經(jīng)過刻蝕后的MIM介質(zhì)層、經(jīng)過刻蝕后的MIM上極板層和經(jīng)過刻蝕后的氮化硅層。

9.如權(quán)利要求7所述的穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法，其特征在于，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝制備所述氮化硅層和所述氧化層。

10.如權(quán)利要求9所述的穩(wěn)定MIM電容光刻線寬的方法，其特征在于，以SiN₄和NH₃為原料制備所述氮化硅層；以氧氣為原料在所述氮化硅層的上表面形成所述氧化層。