[發明專利]一種改善厚柵氧化物形貌的方法

無效

• 申請號: 201410106566.2
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN103887229A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 沈萍;黃奕仙
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種改善厚柵氧化物形貌的方法，其特征在于，包括：

提供一半導體結構，所述半導體結構包括有源區、覆蓋于所述有源區表面的襯墊氧化層和隔離所述有源區的淺溝槽；

在所述淺溝槽中填入絕緣材料，并進行化學機械拋光，以形成頂部具有凹陷區的淺溝槽隔離結構；

采用濕法刻蝕去除所述襯墊氧化層，并使所述凹陷區的寬度和深度增加，以暴露出部分的有源區的側壁；

繼續制備厚柵氧化物。

2.如權利要求1所述的改善厚柵氧化物形貌的方法，其特征在于，在一襯底的表面依次形成一襯墊氧化層和一氮化物層，在所述氮化物層中形成開口并向下刻蝕，形成所述半導體結構。

3.如權利要求1所述的改善厚柵氧化物形貌的方法，其特征在于，通過高縱深比填溝工藝在所述淺溝槽中填入絕緣材料。

4.如權利要求1所述的改善厚柵氧化物形貌的方法，其特征在于，所述絕緣材料為二氧化硅。

5.如權利要求2所述的改善厚柵氧化物形貌的方法，其特征在于，在所述淺溝槽中填入絕緣材料后，進行化學機械拋光，去除剩余的氮化物層。

6.如權利要求1所述的改善厚柵氧化物形貌的方法，其特征在于，通過多次濕法刻蝕使所述凹陷區的寬度和深度增加。

7.如權利要求1所述的改善厚柵氧化物形貌的方法，其特征在于，通過熱氧化生長的方式制備所述厚柵氧化物。