[發明專利]一種處理異常晶片的方法

有效

• 申請號: 201410105748.8
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN104934291B
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 楊國威;樊佩申;曹存朋;朱曉崢;楊曉松
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙)31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種處理異常晶片的方法，其特征在于，所述處理異常晶片的方法至少包括去除晶片表面固化的聚酰亞胺的步驟，該步驟至少包括：

提供具有保護區的異常晶片，所述保護區上設置有采用第二掩膜板曝光、顯影以及烘烤形成的固化的聚酰亞胺，其中，所述聚酰亞胺也作為一種負性光刻膠；

在所述異常晶片及聚酰亞胺表面上涂敷正性光刻膠；

通過第一掩膜板對所述正性光刻膠進行曝光，顯影后暴露出所述保護區上的聚酰亞胺，所述第一掩膜板與所述第二掩膜板為相同的掩膜板；

采用刻蝕工藝刻蝕去除所述暴露的聚酰亞胺；

去除所述正性光刻膠。

2.根據權利要求1所述的處理異常晶片的方法，其特征在于：所述異常晶片包括半導體襯底和形成在所述半導體襯底表面的電路結構。

3.根據權利要求1所述的處理異常晶片的方法，其特征在于：在所述保護區上形成固化的聚酰亞胺的步驟包括：

首先，在所述異常晶片的表面涂敷聚酰亞胺；其次，通過第二掩膜板對所述聚酰亞胺進行曝光，顯影后所述聚酰亞胺形成在異常晶片的保護區上；最后，對保護區上的聚酰亞胺進行烘烤固化。

4.根據權利要求1所述的處理異常晶片的方法，其特征在于：固化的所述聚酰亞胺的厚度范圍為10～90μm。

5.根據權利要求1所述的處理異常晶片的方法，其特征在于：采用干法或濕法刻蝕工藝對所述聚酰亞胺進行刻蝕。

6.根據權利要求5所述的處理異常晶片的方法，其特征在于：采用濕法刻蝕工藝刻蝕所述聚酰亞胺，刻蝕液采用氫氟酸。

7.根據權利要求5所述的處理異常晶片的方法，其特征在于：采用干法刻蝕工藝刻蝕所述聚酰亞胺，刻蝕的氣體采用含氟氣體。

8.據權利要求7所述的處理異常晶片的方法，其特征在于：所述含氟氣體為CF₄、CHF₃或C₃F₈。