[發(fā)明專利]半色調(diào)掩膜版、陣列基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410104455.8 | 申請日: | 2014-03-20 |
| 公開(公告)號: | CN103913944A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李田生;謝振宇 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/32 | 分類號: | G03F1/32;G03F1/54;G03F7/00;H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 色調(diào) 掩膜版 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種半色調(diào)掩膜版,用于陣列基板包含的有源層圖案、以及位于所述有源層圖案上方的源極圖案、漏極圖案和數(shù)據(jù)線圖案的制作,其中:所述陣列基板的表面包含所述源極圖案、漏極圖案和數(shù)據(jù)線圖案對應(yīng)的A區(qū)域,所述有源層圖案在所述源極圖案和漏極圖案之間的區(qū)域?qū)?yīng)的B區(qū)域,以及除所述A區(qū)域和B區(qū)域以外的C區(qū)域,其特征在于,
所述半色調(diào)掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)所述C區(qū)域中的部分區(qū)域和所述B區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩膜版,其特征在于,所述半色調(diào)掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)所述C區(qū)域中像素顯示區(qū)域以外的部分或全部區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩膜版,其特征在于,所述半色調(diào)掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)所述C區(qū)域中與所述B區(qū)域具有間隙的部分或全部區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩膜版,其特征在于,所述半色調(diào)掩膜版的完全不透光區(qū)域?qū)?yīng)所述A區(qū)域,且
所述半色調(diào)掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)所述C區(qū)域中與所述A區(qū)域無間隙的部分或全部區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1~4任一所述的半色調(diào)掩膜版,其特征在于,所述半色調(diào)掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)所述C區(qū)域中位于所述數(shù)據(jù)線圖案兩側(cè)、且與所述數(shù)據(jù)線圖案之間無間隙的區(qū)域。
6.如權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩膜版,其特征在于,所述C區(qū)域中每個(gè)與所述半色調(diào)掩膜版的半透光區(qū)域?qū)?yīng)的獨(dú)立區(qū)域在與所述數(shù)據(jù)線圖案垂直的方向上的尺寸值的取值范圍為:0.5微米~1微米。
7.一種采用如權(quán)利要求1所述的半色調(diào)掩膜版制作陣列基板的方法,其特征在于,該方法包括:
采用所述半色調(diào)掩膜版,通過一次掩模構(gòu)圖工藝,形成陣列基板的有源層圖案、以及位于所述有源層圖案上方的源極圖案、漏極圖案和數(shù)據(jù)線圖案。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,形成所述有源層圖案、以及位于所述有源層圖案上方的源極圖案、漏極圖案和數(shù)據(jù)線圖案,具體包括:
依次沉積半導(dǎo)體層和金屬層;
在所述金屬層上涂布光刻膠;
利用所述半透式掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光,顯影后形成光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域;其中,所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述A區(qū)域,所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)C區(qū)域中的部分區(qū)域和所述B區(qū)域;
利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠完全去除區(qū)域的半導(dǎo)體層和金屬層;
利用等離子體灰化工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠;
利用刻蝕工藝去除掉所述光刻膠半保留區(qū)域的金屬層;
剝離掉所述光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠。
9.一種陣列基板,所述陣列基板的表面包含源極圖案、漏極圖案和數(shù)據(jù)線圖案對應(yīng)的A區(qū)域,有源層圖案在所述源極圖案和漏極圖案之間的區(qū)域?qū)?yīng)的B區(qū)域,以及除所述A區(qū)域和B區(qū)域以外的C區(qū)域,其特征在于,包括:
位于所述C區(qū)域中的部分區(qū)域、所述A區(qū)域和所述B區(qū)域?qū)?yīng)位置的有源層圖案,以及,
位于所述A區(qū)域?qū)?yīng)的有源層圖案上方的源極圖案、漏極圖案和數(shù)據(jù)線圖案。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求9所述的陣列基板。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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