[發(fā)明專利]帶負載狀態(tài)檢測的多路獨立限流輸出的單芯片智能電源

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410104092.8
• 申請日: 2014-03-20
• 公開（公告）號: CN103840530A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何愛萍;陳恬;翟小娟
• 申請（專利權(quán)）人: 成都市智合微電子有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00
• 代理公司: 成都頂峰專利事務(wù)所(普通合伙) 51224
• 代理人: 楊軍

1.帶負載狀態(tài)檢測的多路獨立限流輸出的單芯片智能電源，包括USB輸入接口，順次連接后與USB輸入接口連接的MOS管T1、MOS管T2和MOS管T3，同時與MOS管T1、MOS管T2和MOS管T3連接的控制芯片IC，順次連接后連接于MOS管T2和MOS管T3之間電感L1、電阻Ra和電池，其特征在于，所述控制芯片IC包括中央控制器MCU，至少一個與中央控制器MCU連接的負載狀態(tài)檢測與限流輸出單元，所述負載狀態(tài)檢測與限流輸出單元一端連接于MOS管T1和MOS管T2之間，一端與負載相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶負載狀態(tài)檢測的多路獨立限流輸出的單芯片智能電源，其特征在于，所述負載狀態(tài)檢測與限流輸出單元的數(shù)量與負載的數(shù)量一致，且一個負載狀態(tài)檢測與限流輸出單元控制一個負載的輸出，所述負載狀態(tài)檢測與限流輸出單元包括并聯(lián)后一端連接于MOS管T1和MOS管T2之間、另一端和負載連接的負載狀態(tài)檢測單元G_N、限流開關(guān)S_N，其中N為自然數(shù)，負載狀態(tài)檢測單元G_N的檢測信息輸出到中央控制器MCU。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶負載狀態(tài)檢測的多路獨立限流輸出的單芯片智能電源，其特征在于，所述負載狀態(tài)檢測單元G_N包括直流參考電壓源、感應(yīng)器和運算放大器，所述直流參考電壓源一端連接于MOS管T1和MOS管T2之間，另一端與運算放大器一輸入端相連；感應(yīng)器一端連接于MOS管T1和MOS管T2之間，另一端分別與運算放大器另一輸入端、負載相連，所述運算放大器的輸出端與中央控制器MCU相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶負載狀態(tài)檢測的多路獨立限流輸出的單芯片智能電源，其特征在于，所述限流開關(guān)S_N采用High-side開關(guān)，該開關(guān)一端連接于MOS管T1和MOS管T2之間，另一端與負載連接。

5.帶負載狀態(tài)檢測的多路獨立限流輸出的單芯片智能電源，包括USB輸入接口，順次連接后與USB輸入接口連接的MOS管T1、MOS管T2和MOS管T3，順次連接后連接于MOS管T2和MOS管T3之間電感L1、電阻Ra和電池，其特征在于，所述MOS管T1、MOS管T2和MOS管T3內(nèi)置于控制芯片IC中，所述控制芯片IC還包括中央控制器MCU，至少一個與中央控制器MCU連接的負載狀態(tài)檢測與限流輸出單元，所述負載狀態(tài)檢測與限流輸出單元一端連接于MOS管T1和MOS管T2之間，一端與負載相連，所述MOS管T1、MOS管T2和MOS管T3同時與中央控制器MCU相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶負載狀態(tài)檢測的多路獨立限流輸出的單芯片智能電源，其特征在于，所述負載狀態(tài)檢測與限流輸出單元的數(shù)量與負載的數(shù)量一致，且一個負載狀態(tài)檢測與限流輸出單元控制一個負載的輸出，所述負載狀態(tài)檢測與限流輸出單元包括并聯(lián)后一端連接于MOS管T1和MOS管T2之間、另一端和負載連接的負載狀態(tài)檢測單元G_N、限流開關(guān)S_N，其中N為自然數(shù)，負載狀態(tài)檢測單元G_N的檢測信息輸出到中央控制器MCU。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的帶負載狀態(tài)檢測的多路獨立限流輸出的單芯片智能電源，其特征在于，所述負載狀態(tài)檢測單元G_N包括直流參考電壓源、感應(yīng)器和運算放大器，所述直流參考電壓源一端連接于MOS管T1和MOS管T2之間，另一端與運算放大器一輸入端相連；感應(yīng)器一端連接于MOS管T1和MOS管T2之間，另一端分別與運算放大器另一輸入端、負載相連，所述運算放大器的輸出端與中央控制器MCU相連。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的帶負載狀態(tài)檢測的多路獨立限流輸出的單芯片智能電源，其特征在于，所述限流開關(guān)S_N采用High-side開關(guān)，該開關(guān)一端連接于MOS管T1和MOS管T2之間，另一端與負載連接。