[發明專利]一種含氟石墨烯修飾層有機場效應晶體管的制備方法

有效

• 申請號: 201410103363.8
• 申請日: 2014-03-19
• 公開（公告）號: CN103855305A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 王麗萍;謝曉冬;于貴;張衛鋒;朱明山;郭云龍;陳鵬磊;劉鳴華
• 申請（專利權）人: 北京科技大學;中國科學院化學研究所
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40
• 代理公司: 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401
• 代理人: 皋吉甫

1.一種含氟石墨烯修飾層有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于：以含氟石墨烯修飾絕緣層表面，采用有機半導體材料和并五苯作為半導體層，制備底柵底電極結構的有機光場效應晶體管，具體工藝步驟如下：

A.?基片預處理：將切好的硅片依次用清水、二次水、乙醇、丙酮超聲清洗，再放入硫酸過氧化氫混合溶液中清洗，然后再用二次水、乙醇、丙酮分別超聲處理，最后用氮氣吹干備用；

B.?修飾層制備：將含氟石墨烯的溶液均勻鋪在上述A步驟所得的清潔硅片上，通過甩膜的方法得到薄膜，然后將所得薄膜基片在真空烘箱中于50-80?C烘干1-3h，即可得到含修飾層的薄膜基片；

C.?薄膜制備：將有機半導體材料的溶液均勻鋪在上述B步驟所得含修飾層的薄膜基片上，通過甩膜的方法形成一層新的有機半導體薄膜，然后將所得覆蓋了修飾層和半導體層的薄膜基片在真空烘箱中于50-80?C烘干1-3h，得到含修飾層的半導體薄膜；同樣，將有機半導體材料的溶液均勻鋪在上述A步驟所得清潔硅片上，通過甩膜的方法形成一層有機半導體薄膜，可得不含修飾層的半導體薄膜；

D.?器件制備：將上述C步驟所得的薄膜進行真空鍍膜，通過掩膜法鍍金電極，即可得到含修飾層和不含修飾層的器件。

2.根據權利要求1所述一種含氟石墨烯修飾層有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于：所述含氟石墨烯為氟取代的石墨烯。

3.根據權利要求1所述一種含氟石墨烯修飾層有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于：所述有機半導體材料為三異丙基硅乙炔取代的并四苯并噻吩。

4.根據權利要求1所述一種含氟石墨烯修飾層有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于：所述絕緣層為SiO₂，厚度為300nm。

5.??根據權利要求1所述一種含氟石墨烯修飾層有機場效應晶體管的制備方法，其特征在于：所述底柵底電極結構中的柵極為高度摻雜的Si,底電極材料為金。