[發(fā)明專利]用于測(cè)試光模塊外殼屏蔽性能的測(cè)試電路、系統(tǒng)及方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410103326.7
• 申請(qǐng)日: 2014-03-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103837778A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張維;邱岱;彭奇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索爾思光電（成都）有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/00
• 分類號(hào): G01R31/00
• 代理公司: 四川力久律師事務(wù)所 51221
• 代理人: 林輝輪;王蕓

1.一種用于測(cè)試光模塊外殼屏蔽性能的測(cè)試電路，其特征在于，包括：

信號(hào)發(fā)生器，用于產(chǎn)生測(cè)試信號(hào)；

驅(qū)動(dòng)放大器，用于將所述信號(hào)發(fā)生器輸出的測(cè)試信號(hào)放大輸出；

輻射天線，用于將所述驅(qū)動(dòng)放大器放大輸出的所述測(cè)試信號(hào)輻射出去。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試光模塊外殼屏蔽性能的測(cè)試電路，其特征在于，所述輻射天線為超高頻天線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試光模塊外殼屏蔽性能的測(cè)試電路，其特征在于，所述信號(hào)發(fā)生器為寬帶信號(hào)發(fā)生器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于測(cè)試光模塊外殼屏蔽性能的測(cè)試電路，其特征在于，所述信號(hào)發(fā)生器、驅(qū)動(dòng)放大器和輻射天線集成在同一塊板子上。

5.一種用于測(cè)試光模塊外殼屏蔽性能的測(cè)試系統(tǒng)，包括位于暗室內(nèi)的接收天線和位于暗室外的信號(hào)分析器，所述接收天線與信號(hào)分析器連接，其特征在于，還包括權(quán)利要求1-4所述的測(cè)試電路，所述測(cè)試電路位于暗室內(nèi)且可安裝在光模塊中；

其中，所述接收天線用于接收所述光模塊中的測(cè)試電路中的輻射天線輻射出的信號(hào)，并將該信號(hào)輸出到所述信號(hào)分析器中；

所述信號(hào)分析器用于對(duì)所述信號(hào)進(jìn)行頻譜分析，根據(jù)該信號(hào)的強(qiáng)度變化值與預(yù)設(shè)值的比較判斷光模塊外殼的屏蔽性能是否符合要求。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于測(cè)試光模塊外殼屏蔽性能的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述信號(hào)分析器為頻譜儀。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于測(cè)試光模塊外殼屏蔽性能的測(cè)試系統(tǒng)，其特征在于，所述暗室為IEC?EMC測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)所定義的電波暗室。

8.一種利用權(quán)利要求5-7所述測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試光模塊外殼屏蔽性能的測(cè)試方法，其特征在于，包括如下步驟：

A、打開(kāi)光模塊外殼，將所述測(cè)試電路與所述光模塊內(nèi)的主板電路電連接；

B、將連接好測(cè)試電路的光模塊放入暗室內(nèi)一端，給光模塊供電使測(cè)試電路工作輻射出測(cè)試信號(hào)，暗室內(nèi)另一端的接收天線接收所述測(cè)試信號(hào)，所述信號(hào)分析器對(duì)該測(cè)試信號(hào)進(jìn)行分析，記錄第一信號(hào)強(qiáng)度值；

C、將所述外殼安裝在光模塊上，測(cè)試電路位于外殼內(nèi)，再將連接好所述測(cè)試電路的光模塊放入暗室內(nèi)一端，給光模塊供電使測(cè)試電路工作輻射出測(cè)試信號(hào)，暗室內(nèi)另一端的接收天線接收所述測(cè)試信號(hào)，所述信號(hào)分析器對(duì)該測(cè)試信號(hào)進(jìn)行分析，記錄第二信號(hào)強(qiáng)度值；

D、計(jì)算所述第一信號(hào)強(qiáng)度值與第二信號(hào)強(qiáng)度值的差值，若所述差值大于等于預(yù)設(shè)值，則所述光模塊外殼屏蔽性能符合要求，若所述差值小于預(yù)設(shè)值，則所述光模塊外殼屏蔽性能不符合要求。