[發明專利]一種挺柱及其制備方法

有效

• 申請號: 201410103297.4
• 申請日: 2014-03-19
• 公開（公告）號: CN103938167A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發明（設計）人: 辛延君;王慧芹;程祥軍;王洋;楊玉霞
• 申請（專利權）人: 濰柴動力股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58;C23F17/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙青朵

1.一種挺柱的制備方法，包括以下步驟：

a）將挺柱基體置于磁控濺射設備中，抽真空后對所述挺柱基體進行預熱；

b）將步驟a）得到的挺柱進行活化；

c）在氮氣氛圍下，采用TiC靶與SiC靶對步驟b）得到的挺柱進行濺射；

d）將步驟c）得到的挺柱進行退火處理。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟b）具體為：

在所述磁控濺射設備中通入氬氣，磁控濺射設備中的真空室內壓強為0.1Pa～10Pa，射頻電流為100A～200A時，利用氬氣等離子體對步驟a）得到的挺柱的表面進行轟擊活化。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟c）中所述濺射的過程中，所述磁控濺射設備的工作壓強為0.1Pa～10Pa，靶心距為60mm～100mm。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述TiC靶的磁控濺射鈀的功率為500W～1000W，SiC靶的磁控濺射靶的功率為300W～500W。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為200℃～1200℃，所述退火處理的時間為1h～2h。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述預熱的溫度為300℃～500℃。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟a）中抽真空后所述磁控濺射設備的真空度為2×10^-3Pa～5×10^-3Pa。

8.權利要求1～7任一項所制備的挺柱，所述挺柱的表面設置有TiSiCN復合層。

9.根據權利要求8所述的挺柱，其特征在于，所述TiSiCN復合層中Si的含量為0.2wt%～10wt%，C的含量為0.2wt%～10wt%，Ti的含量為0.1wt%～5wt%，N的含量為0.5wt%～20wt%。

10.根據權利要求8所述的挺柱，其特征在于，所述TiSiCN復合層的厚度為20μm～50μm。