[發(fā)明專利]一種提高LED抗ESD能力的ITO薄膜的電子束蒸鍍方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410102885.6
• 申請日: 2014-03-12
• 公開（公告）號: CN104911540B
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王德曉;夏偉;申加兵;黃博;徐曉強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 山東浪潮華光光電子股份有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/30;H01L33/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種提高LED抗ESD能力的ITO薄膜的電子束蒸鍍方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)在LED外延片表面先蒸鍍最底層ITO，其蒸鍍速率厚度為蒸鍍腔體內(nèi)真空度5x10^-5-7x10^-5Torr，通氧量5-10sccm，通氧位置為近源位置，即氧氣入口距離蒸發(fā)源5-10cm；

(2)在步驟(1)所述最底層ITO表面蒸鍍中間層ITO，蒸鍍速率厚度為真空度7x10^-5-8x10^-5Torr，通氧量8-15sccm，通氧位置為近源位置，即氧氣入口距離蒸發(fā)源5-10cm；

(3)在步驟(2)所述中間層ITO表面蒸鍍上層ITO，蒸鍍速率厚度為真空度8x10^-5-1.0x10^-4Torr，通氧量10-20sccm，高通氧量位置，即氧氣入口在蒸鍍腔體的最頂端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高LED抗ESD能力的ITO薄膜的電子束蒸鍍方法，其特征在于，所述步驟(1)中得到的ITO晶粒直徑可以達(dá)到10-20nm。