[發(fā)明專利]集成電路裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410102836.2 | 申請日： | 2014-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN104600060B | 公開（公告）日： | 2017-05-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 林柏均 | 申請（專利權(quán)）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京中譽威圣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11279 | 代理人： | 王正茂,叢芳 |
| 地址： | 中國臺灣桃園縣龜山*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 裝置 | ||
1.一種集成電路裝置，其特征在于，該集成電路裝置包含：
基板，其具有至少一個貫穿孔貫穿其中；
至少一個晶體管，其至少部分設(shè)置在所述基板中；
至少一個金屬層，其設(shè)置在所述基板上；
導(dǎo)電柱，其設(shè)置在所述貫穿孔中；以及
連接結(jié)構(gòu)，其至少部分設(shè)置在所述貫穿孔中，且連接所述導(dǎo)電柱與所述金屬層，其中所述連接結(jié)構(gòu)的整體的材質(zhì)為應(yīng)力消除材料，所述應(yīng)力消除材料的熱膨脹系數(shù)小于所述導(dǎo)電柱的熱膨脹系數(shù)，所述晶體管在所述貫穿孔的正投影與所述連接結(jié)構(gòu)部分重疊，且所述連接結(jié)構(gòu)包含：
第一部分，所述第一部分的材質(zhì)為氧化物；以及
第二部分，所述第二部分連接所述導(dǎo)電柱與所述金屬層，所述第二部分的材質(zhì)為導(dǎo)電材料，且所述第二部分的熱膨脹系數(shù)小于所述導(dǎo)電柱的所述熱膨脹系數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)的所述第一部分的所述熱膨脹系數(shù)大于或等于所述基板的熱膨脹系數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)的所述第一部分環(huán)繞所述連接結(jié)構(gòu)的所述第二部分。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)的所述第二部分的材質(zhì)為銅。
5.如權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)的所述第二部分的材質(zhì)為鎢。
6.如權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，該集成電路裝置還包含：
絕緣層，其設(shè)置在所述貫穿孔中，并環(huán)繞所述連接結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電柱。
7.一種集成電路裝置，其特征在于，該集成電路裝置包含：
基板，其具有至少一個貫穿孔貫穿其中；
至少一個晶體管，其至少部分設(shè)置在所述基板中；
至少一個金屬層，其設(shè)置在所述基板上；
導(dǎo)電柱，其設(shè)置在所述貫穿孔中；以及
連接結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在所述貫穿孔中，且包含：
連接部，其電性連接所述金屬層，且設(shè)置在所述貫穿孔中；以及
頸部，其設(shè)置在所述連接部與所述導(dǎo)電柱之間，所述頸部比所述連接部窄，且所述晶體管在所述貫穿孔的正投影與所述頸部部分重疊。
8.如權(quán)利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于，所述頸部為柱狀。
9.如權(quán)利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于，所述頸部往所述連接部的方向漸縮。
10.如權(quán)利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于，所述頸部往所述導(dǎo)電柱的方向漸縮。
11.如權(quán)利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于，所述頸部的中間凹陷。
12.如權(quán)利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于，所述頸部、所述連接部與所述導(dǎo)電柱的材質(zhì)相同。
13.如權(quán)利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)的熱膨脹系數(shù)小于所述導(dǎo)電柱的熱膨脹系數(shù)。
14.如權(quán)利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于，所述連接結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為鎢，且所述導(dǎo)電柱的材質(zhì)為銅。
15.如權(quán)利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于，該集成電路裝置還包含：
絕緣層，其設(shè)置在所述貫穿孔中，并環(huán)繞所述連接結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電柱。
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