[發(fā)明專利]ZnO-In2O3納米半導(dǎo)體晶體氣敏材料制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410102645.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-03-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103901081A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹希傳;宣瑞飛;孫毅成;耿浩燃;陳輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)礦業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N27/12 | 分類號(hào): | G01N27/12;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 楊曉玲 |
| 地址: | 221116 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | zno in sub 納米 半導(dǎo)體 晶體 材料 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種無機(jī)納米半導(dǎo)體復(fù)合材料,特別是一種ZnO-In2O3納米半導(dǎo)體氣敏材料制備方法。
背景技術(shù)
隨著工業(yè)水平和經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,越來越多的易燃易爆、毒害氣體開始威脅人類安全和健康。將氣敏傳感器應(yīng)用于汽車、化工、制藥以及其他需要嚴(yán)格的環(huán)境檢測(cè)的行業(yè),確保各種廢氣被凈化到安全的標(biāo)準(zhǔn)再排放,包括氮氧化合物、碳氧化物、氨氣、含硫化合物以及一些小分子的烴類及其衍生物。例如醇、醛、酮、羧酸、酯類以及各種有機(jī)胺。同時(shí)能夠在嚴(yán)禁易燃易爆氣體的地方使用,監(jiān)測(cè)一氧化碳、氫氣和甲烷等常見危險(xiǎn)氣體,確保人類的生存環(huán)境和工作環(huán)境的安全。另一方面,人們?cè)跐M足了衣食住行的基本需求之后,開始對(duì)生活環(huán)境有了更多的要求,能檢測(cè)一氧化碳、二氧化碳、甲醛、甲烷、液化石油氣家庭常見的危險(xiǎn)氣體,以及濕度等關(guān)系人類舒適度氣體的傳感器也逐漸得到人們廣泛的關(guān)注。
氣敏傳感設(shè)備可以檢測(cè)待測(cè)氣體的濃度,給予人們提示或警告,它們的核心元件就是由氣體敏感特性的材料裝配而成,在眾多的氣體敏感材料中,金屬氧化物半導(dǎo)體材料由于具備氣體敏感性強(qiáng),易于生產(chǎn),成本低等一系列的優(yōu)勢(shì)已經(jīng)被深入的研究并且大量的應(yīng)用于各種便攜式氣敏傳感設(shè)備中。傳統(tǒng)的金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏材料常常為粉末狀,這種材料的氣體敏感性差,氣體響應(yīng)時(shí)間長(zhǎng),盡管研究人員進(jìn)行各種不同的金屬摻雜,但是由于粉末間團(tuán)聚造成的生長(zhǎng)無法避免,因此無法顯著提高它們的性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是要提供一種ZnO-In2O3納米半導(dǎo)體晶體氣敏材料的制備方法,解決將兩種無機(jī)半導(dǎo)體氧化物有機(jī)的生長(zhǎng)在一起并形成具有突出性能的獨(dú)特微觀形貌結(jié)構(gòu)的制備技術(shù)問題。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的:該制備方法:通過靜電紡絲技術(shù)合成由半導(dǎo)體納米氧化物ZnO和In2O3有機(jī)復(fù)合而成納米纖維復(fù)合物;然后,水熱合成制備出對(duì)乙醇?xì)怏w具有高敏感性能的“松樹枝”形貌的無機(jī)納米半導(dǎo)體復(fù)合材料;
具體方法步驟為:首先以六水硝酸鋅(Zn(NO3)2·6H2O)、4.5水硝酸銦(In(NO3)3·9/2H2O),以及聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone?PVP)為原料,用乙醇、N,N-二甲基甲醛(DMF)作為溶劑,其中溶劑質(zhì)量與鋅源銦源的質(zhì)量和與PVP質(zhì)量比例為(6∽10):(3∽5):8,通過靜電紡絲技術(shù)制備出ZnO–In2O3納米復(fù)合纖維;所述的靜電紡絲條件是:型號(hào)22G內(nèi)徑為0.41mm紡絲針頭的5mL醫(yī)用注射器來盛放前驅(qū)體溶液,直流電壓30kV,正極接在紡絲針頭上,使用接地的鋁箔作為紡絲接收器,與針頭的垂直距離為25cm,前驅(qū)體溶液的流出速度為1.32mL?h-1,鋁箔得到白色無紡布;將無紡布在75℃下烘干5h,室溫收集無紡布后置于馬弗爐中加熱到600℃,恒溫3h,自然冷卻后,得到淡黃色ZnO-In2O3復(fù)合納米纖維;其次以1mg的ZnO-In2O3復(fù)合納米纖維作為晶種,在鋅氨溶液環(huán)境下,15ml去離子水溶解165mg的Zn(CH3COO)2·2H2O加入3.0∽3.2mmol的氨水一同加入到25mL的反應(yīng)釜中,在95℃下進(jìn)行水熱處理8∽10h,自然冷卻至室溫,取出產(chǎn)物,分別用去離子水和乙醇清洗3-5次,從而在ZnO-In2O3纖維表面生長(zhǎng)氧化鋅晶體得到松枝形貌ZnO-In2O3納米復(fù)合材料。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)礦業(yè)大學(xué),未經(jīng)中國(guó)礦業(yè)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410102645.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種降低水熱法ZnO晶體的螺旋位錯(cuò)密度的方法
- 一種非極性ZnO基發(fā)光器件及其制備方法
- 一種發(fā)光顏色可調(diào)的半導(dǎo)體發(fā)光材料及制備方法
- 一種耐腐蝕ZnO薄膜及其制備方法
- 一種ZnO同質(zhì)pn結(jié)及其制備方法
- ZnO溶膠復(fù)合Sn摻雜ZnO厚膜的制備方法
- 一種ZnO/Ag/ZnO復(fù)合透明導(dǎo)電薄膜的制備方法
- 基于種子層結(jié)構(gòu)控制的超疏水自清潔玻璃的制備方法
- 一種含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al異質(zhì)結(jié)的LED及其制備方法
- ZnO納米棒/碳纖維的制備方法及其在光電降解有機(jī)染料中的應(yīng)用
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復(fù)相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復(fù)合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復(fù)合材料的制備方法





