[發(fā)明專利]一種器件隔離溝槽表面修復的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410102240.2 | 申請日： | 2014-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN103871841A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 洪齊元;黃海 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 器件 隔離 溝槽 表面 修復 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種器件隔離溝槽表面修復的方法，其特征在于：包括以下步驟，
步驟一，利用等離子體將氧氣進行去耦化處理，形成氧自由基；
步驟二，將步驟一形成的氧自由基與溝槽表面進行反應，形成去耦等離子體氧化物，修復溝槽表面的缺陷。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種器件隔離溝槽表面修復的方法，其特征在于：所述氧自由基與溝槽表面進行反應所需的溫度范圍為300～400℃。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種器件隔離溝槽表面修復的方法，其特征在于：所述等離子體將氧氣進行去耦化處理的過程中，所需的腔體壓力為10～100mT，氧氣的流量為120～330毫升每分，射頻功率為1～3KW。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
