[發(fā)明專利]一種組合型抗干擾磁芯

有效

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• 申請日: 2014-03-19
• 公開（公告）號: CN103943323A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高其榮
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻康磁業(yè)電子（昆山）有限公司
• 主分類號: H01F27/24
• 分類號: H01F27/24;H01F27/26
• 代理公司: 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種磁芯，具體涉及一種組合型抗干擾磁芯。

背景技術(shù)

磁芯是指由各種氧化鐵混合物組成的一種燒結(jié)磁性金屬氧化物，廣泛應(yīng)用于變壓器、高頻磁放大器、濾波阻流圈等各類磁性器件中。隨著電子工業(yè)的發(fā)展，傳統(tǒng)的單個磁芯已經(jīng)不再能夠完全滿足市場需求，如果能夠?qū)⒍鄠€磁芯組合起來使用的話，就能夠增大磁芯體積使其適用范圍更廣，但是如何保證組合磁芯的抗干擾性能是困擾業(yè)內(nèi)的難題。

發(fā)明內(nèi)容

為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠單獨(dú)使用、也可以組合使用的抗干擾磁芯。

為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案：

一種組合型抗干擾磁芯，包括兩個磁芯單體，所述磁芯單體包括磁芯本體和一體成型于磁芯本體上的磁柱；所述磁芯本體包括：一體成型的底座以及與底座構(gòu)成半包圍結(jié)構(gòu)的三個側(cè)壁，所述磁柱設(shè)置于底座上且磁柱與三個側(cè)壁之間均留有繞線空隙，所述磁柱與三個側(cè)壁等高；所述磁柱上對應(yīng)地設(shè)有連接兩個磁芯單體的連接柱和連接結(jié)構(gòu)，所述連接柱拆卸后能夠容納于連接結(jié)構(gòu)中。

前述磁柱為圓柱形的，設(shè)置于底座的邊緣位置且與三個側(cè)壁之間的距離相等。

前述側(cè)壁包括：相互平行的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁、連接第一側(cè)壁和第二側(cè)壁的第三側(cè)壁，所述第三側(cè)壁的靠近磁柱的內(nèi)壁面為弧形的。

前述連接柱鉚接或扣接于所述磁柱的側(cè)壁上，所述連接結(jié)構(gòu)為容納連接柱的凹槽。

進(jìn)一步地，前述磁柱內(nèi)沿長度方向形成一圓柱形凹槽以提高抗干擾性能。

本發(fā)明的有益之處在于：本發(fā)明的磁芯能夠單獨(dú)使用也可以組合使用，適用范圍更廣，設(shè)計(jì)巧妙，磁柱上能夠繞制的線圈匝數(shù)更多，因而產(chǎn)品性能更加卓越，而且，獨(dú)特的結(jié)構(gòu)賦予產(chǎn)品良好的抗干擾性能，有效抑制了高頻干擾，研究表明，在磁柱內(nèi)沿長度方向設(shè)置凹槽還能夠進(jìn)一步提高磁芯的抗干擾性能。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的一種組合型抗干擾磁芯的具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中附圖標(biāo)記的含義：1、磁芯單體，2、磁柱，3、底座，4、第一側(cè)壁，5、第二側(cè)壁，6、第三側(cè)壁，7、連接柱，8、連接結(jié)構(gòu)，9、圓柱形凹槽。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作具體的介紹。

參見圖1，本發(fā)明的一種組合型抗干擾磁芯，包括兩個磁芯單體1，具體來說，每個磁芯單體1均包括磁芯本體和一體成型于磁芯本體上的磁柱2。其中，磁芯本體包括：一體成型的底座3以及與底座3構(gòu)成半包圍結(jié)構(gòu)的三個側(cè)壁，磁柱2設(shè)置于底座3上且磁柱2與三個側(cè)壁之間均留有繞線空隙，磁柱2與三個側(cè)壁等高。這樣一來，磁柱2位于一個半包圍結(jié)構(gòu)中，相比于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品，具有很好的抗干擾性能。為了將兩個磁芯單體1組合連接，在磁柱2上對應(yīng)地設(shè)有連接兩個磁芯單體1的連接柱7和連接結(jié)構(gòu)8，組合時，第一個磁芯單體1的連接柱7與第二個磁芯單體1的連接結(jié)構(gòu)8配合，而第二個磁芯單體1的連接柱7與第一個磁芯單體1的連接結(jié)構(gòu)8配合，兩個半包圍結(jié)構(gòu)就構(gòu)成了一個全包圍結(jié)構(gòu)，抗干擾性能得以進(jìn)一步提高。巧妙地，連接柱7拆卸后能夠容納于連接結(jié)構(gòu)8中，所以，當(dāng)磁芯單體1單獨(dú)使用時，將連接柱7拆下后置于連接結(jié)構(gòu)8中，磁柱2的表面也是平整的，保證其性能不會受到影響。

優(yōu)選地，磁柱2為圓柱形的，設(shè)置于底座3的邊緣位置且與三個側(cè)壁之間的距離相等。如圖1所示，側(cè)壁包括：相互平行的第一側(cè)壁4和第二側(cè)壁5、連接第一側(cè)壁4和第二側(cè)壁5的第三側(cè)壁6，其中第三側(cè)壁6的靠近磁柱2的內(nèi)壁面為弧形的。弧形的內(nèi)壁面使得磁柱2與側(cè)壁之間的空隙變大，也就是“窗口”增大，能夠繞制的線圈匝數(shù)也就更多，有助于提高產(chǎn)品的性能。

作為一種具體結(jié)構(gòu)，連接柱7鉚接或扣接于所述磁柱2的側(cè)壁上，而連接結(jié)構(gòu)8為容納連接柱7的凹槽。

進(jìn)一步地，在磁柱2內(nèi)沿長度方向形成一圓柱形凹槽9，研究證明，該結(jié)構(gòu)能夠進(jìn)一步提高磁芯的抗干擾性能，應(yīng)用于電子產(chǎn)品上的時候，能夠顯著提高電子產(chǎn)品的抗電磁干擾能力，有效抑制了高頻干擾。需要特別說明的是，該圓柱形凹槽9與此前所述的連接結(jié)構(gòu)8是不相通的。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，上述實(shí)施例不以任何形式限制本發(fā)明，凡采用等同替換或等效變換的方式所獲得的技術(shù)方案，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。