[發明專利]基于超級電容器隔膜的復合平面電極及其制備方法有效
| 申請號: | 201410101760.1 | 申請日: | 2014-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN103956272B | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發明(設計)人: | 唐鵬翼;韓麗娟;張立 | 申請(專利權)人: | 香港中文大學深圳研究院 |
| 主分類號: | H01G11/86 | 分類號: | H01G11/86;H01G11/30 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司44223 | 代理人: | 王震宇 |
| 地址: | 518057 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 超級 電容器 隔膜 復合 平面 電極 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于柔性超級電容器隔膜的超級電容器隔膜復合平面電極的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
a.以柔性超級電容器隔膜作為電極的基底,用石墨供給件的含有石墨的端頭在超級電容器隔膜表面摩擦,在所述超級電容器隔膜上涂布上石墨層,得到具有石墨平面材料的超級電容器隔膜電極;
b.將涂布上石墨層的超級電容器隔膜置于含有3,4-乙撐二氧噻吩單體的電解液中,采用電沉積方式沉積聚合聚3,4-乙撐二氧噻吩,得到具有聚3,4-乙撐二氧噻吩/石墨納米復合平面材料的超級電容器隔膜電極;
c.將具有聚3,4-乙撐二氧噻吩/石墨復合材料的超級電容器隔膜電極置于含有醋酸錳的電解液中,采用電沉積方法沉積二氧化錳,得到具有二氧化錳/聚3,4-乙撐二氧噻吩/石墨納米復合平面材料的超級電容器隔膜電極,其中配置0.5M醋酸錳水溶液,采用恒電位沉積技術沉積,以鉑片為對電極,飽和甘汞電極為參比電極,1V的電壓下沉積二氧化錳,形成納米線結構;
其中所述含有3,4-乙撐二氧噻吩單體的電解液為含有80-100mM的3,4-乙撐二氧噻吩單體、140-160mM的十二烷基磺酸鈉和100-120mM的高氯酸鋰的水溶液。
2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟b或c中,在沉積之后先用二次水洗滌,再烘干,得到相應的超級電容器隔膜電極。
3.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,步驟a之前,先將超級電容器隔膜置于HCl水溶液中進行超聲振蕩清洗,再用二次水洗滌,然后晾干。
4.如權利要求3所述的制備方法,其特征在于,將超級電容器隔膜置于0.3M HCl水溶液中超聲振蕩清洗10分鐘。
5.一種基于超級電容器隔膜的復合平面電極,其特征在于,是采用權利要求1至4任一項所述的方法制成的具有石墨平面材料的超級電容器隔膜電極。
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