[發(fā)明專利]NbVN硬質納米薄膜及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410101562.5
• 申請日: 2014-03-19
• 公開（公告）號: CN103898456A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設計）人: 許俊華;喻利花;胡紅霞
• 申請（專利權）人: 江蘇科技大學
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/06;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.NbVN硬質納米薄膜，其特征在于是采用雙靶共焦射頻反應濺射法沉積在硬質合金或陶瓷基體上得到的，薄膜分子式為（Nb,V）N，厚度為1～3μm，V含量為0～50at.%且大于0，NbVN薄膜的摩擦系數(shù)在室溫至700℃范圍隨著溫度的升高而降低。

2.權利要求1所述的NbVN硬質納米薄膜的制備方法，其特征在于是利用雙靶共焦射頻反應法沉積在硬質合金或陶瓷基體上的，厚度1～3μm，V含量為0～50at.%且大于0，沉積時，真空度<3.0×10^-3Pa,以氬氣起弧，氮氣為反應氣體；濺射氣壓0.3Pa、氬氮流量比10:（1～10），Nb靶濺射功率100～300W，V靶濺射功率0～150W。

3.根據(jù)權利要求2所述的NbVN硬質納米薄膜的制備方法，其特征在于在基體上先沉積純Nb作為過渡層。

4.根據(jù)權利要求2所述的NbVN硬質納米薄膜的制備方法，其特征在于Nb靶濺射功率200W，V靶濺射功率60W。