[發(fā)明專利]二元掩模鉻金屬膜去除方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410100820.8 | 申請日： | 2014-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN103869607A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 尤春;王興平;陳友篷 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫中微掩模電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/82 | 分類號： | G03F1/82 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷紅梅 |
| 地址： | 214135 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二元 掩模鉻 金屬膜 去除 方法 | ||
1.一種二元掩模鉻金屬膜去除方法，其特征是，所述二元掩模鉻金屬膜去除方法包括如下步驟：
（a）、在鍍有鉻金屬膜（2）的基板（1）上涂布光刻膠層（3）；
（b）、利用光刻膠掩模板對上述光刻膠層（3）進(jìn)行圖形化，以在所述光刻膠層（3）上得到光刻膠掩模圖形（4）；
（c）、利用光刻膠掩模板對光刻膠層（3）的光刻膠掩模圖形（4）進(jìn)行氧等離子體處理，以利用氧等離子體去除掩模圖形（4）內(nèi)對應(yīng)的有機(jī)物殘留（5）；
（d）、去除上述光刻膠掩模板并利用光刻膠掩模圖形（4）作為保護(hù)層，對鉻金屬膜（2）進(jìn)行濕法刻蝕，以在鉻金屬膜（2）上形成金屬膜圖形；
（e）、去除上述光刻膠層（3）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二元掩模鉻金屬膜去除方法，其特征是：所述步驟（c）中，進(jìn)行氧等離子處理時，氧氣的流量為18~100毫升/分鐘，壓力為85mTorr~100mTorr，垂直射頻功率為100W~500W，橫向射頻功率為0~10W。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二元掩模鉻金屬膜去除方法，其特征是：所述基板（1）包括石英玻璃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二元掩模鉻金屬膜去除方法，其特征是：所述有機(jī)物殘留（5）為光刻膠殘留。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
