[發(fā)明專(zhuān)利]射頻放大電路以及功率放大模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410100764.8
• 申請(qǐng)日: 2014-03-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104065349B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 筒井孝幸;田中聰;嶋本健一
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類(lèi)號(hào): H03F3/189
• 分類(lèi)號(hào): H03F3/189;H03F3/20;H04B1/40
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 張?chǎng)?/td>

1.一種射頻放大電路，其特征在于，包括:

放大晶體管，該放大晶體管將通過(guò)匹配電路輸入至基極的射頻信號(hào)進(jìn)行放大并輸出；

第1偏壓用晶體管，該第1偏壓用晶體管與所述放大晶體管進(jìn)行電流鏡連接，將偏壓提供給所述放大晶體管；以及

第2偏壓用晶體管，該第2偏壓用晶體管與所述放大晶體管的基極進(jìn)行射極跟隨器連接，將偏壓提供給所述放大晶體管，

相互獨(dú)立地控制施加在所述第1偏壓用晶體管的集電極一側(cè)的第1控制電壓、以及施加在所述第2偏壓用晶體管的基極一側(cè)的第2控制電壓，

能夠?qū)⑺龅?控制電壓維持在規(guī)定電平不變而改變所述第1控制電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的射頻放大電路，其特征在于，

還包括電壓調(diào)整電路，該電壓調(diào)整電路根據(jù)所述第2偏壓用晶體管的溫度特性，來(lái)調(diào)整施加在所述第2偏壓用晶體管的基極上的電壓。

3.如權(quán)利要求2所述的射頻放大電路，其特征在于，

所述電壓調(diào)整電路包含電壓調(diào)整用晶體管，該電壓調(diào)整用晶體管具有與所述第2偏壓用晶體管相等同的基極/發(fā)射極間電壓的溫度特性，將與該電壓調(diào)整用晶體管的基極/發(fā)射極間電壓相對(duì)應(yīng)的電壓提供至所述第2偏壓用晶體管的基極。

4.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的射頻放大電路，其特征在于，

還包括一端與所述第1偏壓用晶體管的基極相連，另一端接地的電容器。

5.如權(quán)利要求1所述的射頻放大電路，其特征在于，還包括，

第2放大晶體管，該第2放大晶體管將從所述放大晶體管經(jīng)由匹配電路輸入至基極的射頻信號(hào)進(jìn)行放大并輸出；

第3偏壓用晶體管，該第3偏壓用晶體管與所述第2放大晶體管進(jìn)行電流鏡連接，將偏壓提供給所述第2放大晶體管；以及

第4偏壓用晶體管，該第4偏壓用晶體管與所述第2放大晶體管的基極進(jìn)行射極跟隨器連接，將偏壓提供給所述第2放大晶體管。

6.如權(quán)利要求5所述的射頻放大電路，其特征在于，

獨(dú)立形成有施加在所述第1及第3偏壓用晶體管的集電極一側(cè)的第1控制電壓的輸入端子、以及施加在所述第2及第4偏壓用晶體管的基極一側(cè)的第2控制電壓的輸入端子。

7.如權(quán)利要求5所述的射頻放大電路，其特征在于，

以公共端子來(lái)形成施加在所述第1及第3偏壓用晶體管的集電極一側(cè)的第1控制電壓的輸入端子、以及施加在所述第2及第4偏壓用晶體管的基極一側(cè)的第2控制電壓的輸入端子。

8.如權(quán)利要求5至7的任一項(xiàng)所述的射頻放大電路，其特征在于，

還包括電壓調(diào)整電路，該電壓調(diào)整電路根據(jù)所述第2及第4偏壓用晶體管的溫度特性，來(lái)調(diào)整施加在所述第2及第4偏壓用晶體管的基極的電壓。

9.如權(quán)利要求1至3、5至7的任一項(xiàng)所述的射頻放大電路，其特征在于，

構(gòu)成該射頻放大電路的晶體管是異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。

10.如權(quán)利要求4所述的射頻放大電路，其特征在于，

構(gòu)成該射頻放大電路的晶體管是異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。

11.如權(quán)利要求8所述的射頻放大電路，其特征在于，

構(gòu)成該射頻放大電路的晶體管是異質(zhì)結(jié)雙極晶體管。

12.一種功率放大模塊，其特征在于，包括:

如權(quán)利要求1至11的任一項(xiàng)所述的射頻放大電路；以及

生成提供給所述射頻放大電路的控制電壓的控制電壓生成電路。