[發明專利]采用反饋控制改善晶圓圖案化的均勻性

有效

• 申請號: 201410100608.1
• 申請日: 2014-03-18
• 公開（公告）號: CN104730858B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 吳忠錫;廖漢文;林志育;崔成章
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F9/00;G03F7/20;H01L21/306
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種用于對晶圓進行圖案化的方法，包括：

對第一晶圓執行第一圖案化；

在執行所述第一圖案化之后，計算模擬劑量分布(DoMa)圖，所述模擬劑量分布圖預測所述第一晶圓的臨界尺寸由于對所述第一晶圓執行第二圖案化而發生的變化；以及

對所述第一晶圓執行所述第二圖案化，其中，執行所述第二圖案化包括根據所述模擬劑量分布圖與所述第一晶圓的期望臨界尺寸之間的差值而調整所述第二圖案化的一個或多個蝕刻參數。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，計算所述模擬劑量分布圖包括：通過執行所述第一圖案化來計算測量所述第一晶圓的臨界尺寸的第一劑量分布圖并將所述第一劑量分布圖添加至偏差圖。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：通過獲取第二劑量分布圖與第三劑量分布圖之間的差值來計算所述偏差圖，其中，所述第二劑量分布圖通過對第二晶圓執行所述第一圖案化來測量所述第二晶圓的臨界尺寸，并且所述第三劑量分布圖通過對所述第二晶圓執行所述第二圖案化來測量所述第二晶圓的臨界尺寸。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述一個或多個蝕刻參數包括在所述第二圖案化期間所采用的靜電吸盤(ESC)的溫度、施加至所述靜電吸盤的偏置功率、進入所述第二圖案化期間所采用的蝕刻室的氣流速度、所述蝕刻室中的氣流分布或它們的組合。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：在執行所述第二圖案化之前，根據所述模擬劑量分布圖與所述第一晶圓的期望臨界尺寸之間的差值對所述第一晶圓的第一圖案化進行微調。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，執行所述第二圖案化包括：執行光刻工藝，并根據所述模擬劑量分布圖與所述第一晶圓的期望臨界尺寸之間的差值來調整所述光刻工藝的曝光劑量。

7.一種用于對晶圓進行圖案化的方法，包括：

對第一晶圓執行第一圖案化；

計算第一劑量分布(DoMa)圖，所述第一劑量分布圖測量所述第一晶圓由于所述第一圖案化而產生的臨界尺寸；

采用所述第一劑量分布圖和偏差圖計算模擬劑量分布圖，其中，基于對第二晶圓執行所述第一圖案化和執行第二圖案化來計算所述偏差圖；以及

基于所述模擬劑量分布圖與所述第一晶圓的期望臨界尺寸之間的差值對所述第一晶圓的第一圖案化進行微調。

8.根據權利要求7所述的方法，還包括：在對所述第一圖案化進行微調之后，對所述第一晶圓執行所述第二圖案化。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，計算所述第一劑量分布圖包括使用臨界尺寸掃描電子顯微鏡。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第二圖案化包括蝕刻工藝，并且所述方法還包括基于所述模擬劑量分布圖與所述第一晶圓的期望臨界尺寸之間的差值而調整所述蝕刻工藝。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第二圖案化包括光刻工藝，并且所述方法還包括基于所述模擬劑量分布圖與所述第一晶圓的期望臨界尺寸之間的差值而調整所述光刻工藝的曝光劑量。

12.根據權利要求8所述的方法，還包括：計算測量所述第二晶圓由于所述第二圖案化而產生的臨界尺寸的第二劑量分布圖，并采用所述第二劑量分布圖來更新所述偏差圖。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括：計算測量所述第一晶圓由于所述微調而產生的臨界尺寸的第三劑量分布圖，其中，更新所述偏差圖包括利用所述第二劑量分布圖與第三劑量分布圖之間的差值對所述偏差圖取平均值。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，更新所述偏差圖包括采用所述第二劑量分布圖與所述第一晶圓的期望臨界尺寸之間的差值。