[發明專利]大電流高電壓整流管及設計工藝方法有效
| 申請號: | 201410100521.4 | 申請日: | 2014-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN104934320B | 公開(公告)日: | 2018-08-07 |
| 發明(設計)人: | 陶崇勃;邵永周 | 申請(專利權)人: | 西安永電電氣有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/329 | 分類號: | H01L21/329;H01L21/22 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
| 地址: | 710016 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電流 電壓 整流管 設計 工藝 方法 | ||
1.一種大電流高電壓整流管的設計工藝方法,其特征在于,所述設計工藝方法包括如下步驟:
S1.提供待擴散的硼源、鋁源,將硼源和鋁源置于單晶硅上,在1250±5℃條件下置于反應器中進行第一次擴散,第一次擴散的擴散時間為54~58h,第一次擴散過程中使結深控制在140~155μm,表面濃度控制在0.08~0.1mV;
S2.提供待擴散的磷源,利用載氣攜帶磷源送入反應器中,進行第二次擴散,第二次擴散的擴散時間為4~6h,第二次擴散過程中使結深控制在17~22μm,表面濃度控制在0.15~0.25mV;
S3.對管芯的臺面進行造型,使管芯的臺面形成雙負斜角,并在形成雙負斜角的臺面上設置保護層,所述保護層包括依次設置于臺面上的液相鈍化層、有機硅漆層、硅橡膠層;
S4.將經過臺面造型的管芯以及鉬片封裝于管殼蓋和管殼體之間,在管殼蓋和管殼體之間的裝配壓力下,鉬片與管芯之間實現緊密接觸。
2.根據權利要求1所述的大電流高電壓整流管的設計工藝方法,其特征在于,所述硼源選自純度為99.999%的粉末狀單質硼。
3.根據權利要求1所述的大電流高電壓整流管的設計工藝方法,其特征在于,所述鋁源選自純度為99.999%的鋁絲。
4.根據權利要求1所述的大電流高電壓整流管的設計工藝方法,其特征在于,所述磷源選自高純三氯氧磷。
5.根據權利要求1所述的大電流高電壓整流管的設計工藝方法,其特征在于,所述載氣選自高純氮氣、氧氣。
6.一種根據權利要求1~5任一項所述的設計工藝方法制造的大電流高電壓整流管,其特征在于,所述整流管包括:管殼蓋、與所述管殼蓋相配合的管殼體,所述管殼體兩端設置有定位環,所述管殼體中設置有:陰極銀片、陽極銀片、陰極鉬片、陽極鉬片、陰極凸臺、陽極凸臺、管芯。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





