[發明專利]半導體制造裝置用部件有效
| 申請號: | 201410100477.7 | 申請日: | 2014-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN104064494B | 公開(公告)日: | 2018-04-17 |
| 發明(設計)人: | 大場教磨;川尻哲也;片居木俊 | 申請(專利權)人: | 日本礙子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司11243 | 代理人: | 鐘晶,於毓楨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 制造 裝置 部件 | ||
1.一種半導體制造裝置用部件,其特征在于,其為將陶瓷零件與金屬零件通過熱固化片進行接合的半導體制造裝置用部件,
所述熱固化片是使環氧-丙烯酸系混合的粘結劑固化而成的熱固化片,
所述粘結劑含有5~80質量%的A成分:能夠進行氫轉移型加聚的環氧樹脂、15~90質量%的B成分:丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的聚合物、0.1~5質量%的C成分:固化劑,所述A成分的質量%比所述B成分的質量%小。
2.根據權利要求1所述的半導體制造裝置用部件,其特征在于,所述粘結劑的重量變化比例為5質量%以下,所述重量變化比例是將從固化前的粘結劑的重量中減去在真空狀態下,在150℃下經過20小時固化后的粘結劑的重量得到的值除以固化前的粘結劑的重量而求得的。
3.根據權利要求1或2所述的半導體制造裝置用部件,其特征在于,所述粘結劑在將所述陶瓷零件與所述金屬零件進行接合后,施加在150℃下經過1000小時的熱負荷前后的剪切斷裂強度為0.3MPa以上,剪切斷裂應變為1.4以上,且剪切彈性率Z為0.048≤Z≤2.350。
4.根據權利要求1或2所述的半導體制造裝置用部件,其特征在于,所述粘結劑在將所述陶瓷零件與所述金屬零件進行接合后,施加在150℃下經過1000小時的熱負荷后剪切彈性率的升高為60%以下。
5.根據權利要求1或2所述的半導體制造裝置用部件,其特征在于,所述粘結劑在將所述陶瓷零件與所述金屬零件進行接合后,施加在150℃下經過1000小時的熱負荷前后的熱導率的變化量為10%以內。
6.根據權利要求1或2所述的半導體制造裝置用部件,其特征在于,所述粘結劑在進行熱固化處理之前為片狀的粘結劑片,將該粘結劑片夾在被粘接體之間并對該被粘接體施加0.1~1.0MPa時的從側面的凸出量為1.1mm以下。
7.根據權利要求1或2所述的半導體制造裝置用部件,其特征在于,所述半導體制造裝置用部件為從由加熱器、靜電卡盤、環和噴頭組成的組中選擇的一種。
8.根據權利要求1或2所述的半導體制造裝置用部件,其特征在于,所述陶瓷零件的材料為從由氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、氮化硼、三氧化二釔和氧化鎂組成的組中選擇的一種;
所述金屬零件的材料為從由鋁、鋁合金、黃銅、鉬、SiSiC和AlSiC組成的組中選擇的一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





