[發明專利]一種高效率菊花雜交育種效率的方法有效
| 申請號: | 201410100386.3 | 申請日: | 2014-03-18 |
| 公開(公告)號: | CN103828710A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | 房偉民;金詩媛;陳發棣;管志勇;陳素梅;蔣甲福;滕年軍;方庚 | 申請(專利權)人: | 南京農業大學 |
| 主分類號: | A01H1/02 | 分類號: | A01H1/02 |
| 代理公司: | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人: | 徐冬濤;尹慧晶 |
| 地址: | 21009*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高效率 菊花 雜交育種 效率 方法 | ||
技術領域
本發明屬于生物技術育種領域,具體涉及一種高效率菊花雜交育種的方法。?
背景技術
菊花是原產我國的十大傳統名花,也是世界上最重要的花卉之一,距今已有1600多年的栽培歷史,由毛華菊、野菊和紫花野菊等天然雜交并經人工長期選育而成。唐朝時期,中國菊花經朝鮮傳入日本,17世紀中葉始,中國菊花傳入荷蘭、法國、英國等國家,現已成為世界四大切花之一。目前,我國選育的菊花品種約有4000多個,全球品種總數在2萬之上,是世界上商品產值最高的花卉之一。菊花不僅在切花和盆花中具有十分重要的地位,而且在園林應用中也發揮了極大的作用,因此加強菊花育種具有很高的經濟和社會效益。?
菊花是典型的多起源雜種,實生后代極易產生花色、花型等性狀的分離,因此利用雜交或開放授粉獲得的實生苗后代進行菊花新品種選育是目前菊花育種的主要手段。但由于不同品種的結實率差異極大,部分品種尤其是瓣性較高的蜂窩型、蓮座型等花型的品種結實率低,種子少,飽滿度低,田間播種的發芽率和成苗率也較低,較難獲得大量播種苗后代,極大地影響了育種效率。此外,田間播種后播種苗生長較慢,當年難以獲得較大群體的株系,需要當年初選后,于第二、三年復選和優選,也延長了育種周期。鑒于此,針對部分結實率低、種子飽滿度差的雜交后代組合,采用無菌播種方法,一方面可以克服不良環境的影響,提高發芽率和成苗率,同時可在可控環境下利用無菌播種獲得的種苗進行繼代擴繁,于當年獲得較大群體的株系,可大幅度縮短育種周期,提高育種效率。?
發明內容
發明的目的是針對目前菊花育種上部分雜交組合后代種子少、飽滿度低、常規田間播種的發芽率和成苗率也較低這一現狀,通過種子消毒、無菌播種和繼代擴繁,提供一套簡單易操作的方法,以提高菊花雜交種子的發芽率、成苗率,并于當年形成雜交后代的無性株系,從而縮短育種周期,提高育種效率,實用性和科學性突出。?
本發明的目的是通過以下方式實現的:?
一種高效率菊花雜交育種的方法,該方法包括以下步驟:?
1)雜交種子的消毒:?
將雜交種子用自來水沖洗15~20min后,經無菌水浸泡24~26h,然后在再用體積百分比75%乙醇消毒1min,再用質量百分比5%次氯酸鈉消毒50min后,用無菌水沖洗3~4次;?
2)無菌播種:?
消毒完的種子接種于含15g·L-1蔗糖的MS培養基中,15d后,將發芽的種子轉入MS培養基;?
3)雜種株系的獲得:?
MS培養基培養10~15d后,將幼苗莖段切割3~5段,分別轉入繼代培養基中進行繼代擴繁培養,當幼苗長至2~3cm時,將其移至生根培養基上進行生根培養;40d后煉苗移植。?
上述方法中雜交種子采收后陰干,置于牛皮紙袋中,4℃冰箱保存。次氯酸鈉溶液中可添加次氯酸鈉溶液體積0.3%的表面活性劑TritonX-100。?
繼代和生根培養的溫度均為25±2℃,光照14h,光強1500~2000lx。繼代培養時可以根據需要確定繼代數,從而使每粒種子獲得數個至數十個不等個體的株系。繼代擴繁培養采用的培養基可為MS+6-BA0.2mg·L-1的培養基,生根培養采用的培養基可以為添加生長素NAA0.1mg·L-1的1/2MS培養基。?
上述方法具體包括以下步驟:?
1)雜交種子的保存與消毒?
將菊花雜交種子采收后陰干,4℃冰箱保存;種子用自來水沖洗15min后,經無菌水浸泡24h。然后用體積百分比75%乙醇消毒1min,再用質量百分比5%次氯酸鈉消毒50min后用無菌水沖洗3次。?
2)無菌播種?
消毒完的種子接種于含15g·L-1蔗糖的MS培養基,每個培養皿接種20粒種子,15d后,將發芽的種子轉入MS培養基培養。?
3)雜種后代株系的獲得?
MS培養基培養10~15d后,將幼苗莖段切割3~5段,分別轉入MS+6-BA0.2mg·L-1的培養基中進行繼代擴繁培養,并根據需要確定繼代數,從而使每粒種子獲得數個至數十個不等個體的株系。當幼苗長至2~3cm時,移至添加NAA0.1mg·L-1的1/2MS培養基上壯苗并生根,約40d后煉苗移植,即可獲得雜種株系。無菌播種、繼代和生根培養的溫度均為25±2℃,光照14h,光強1500~2000lx。?
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