[發(fā)明專利]電阻式隨機存取存儲器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410099409.3 | 申請日： | 2014-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN104835909B | 公開（公告）日： | 2017-05-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳菁華;林展慶 | 申請（專利權(quán)）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;G11C13/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電阻 隨機存取存儲器 | ||
1.一種電阻式隨機存取存儲器，包括：
第一電極；
介電層，設(shè)置于該第一電極上；
至少一第一納米結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該第一電極與該介電層之間，且該第一納米結(jié)構(gòu)包括：
多個第一群聚型金屬納米粒子，設(shè)置于該第一電極上，該些第一群聚型金屬納米粒子具有可氧化性；以及
多個第一包覆型金屬納米粒子，包覆該些第一群聚型金屬納米粒子，其中該些第一群聚型金屬納米粒子的擴散系數(shù)大于該些第一包覆型金屬納米粒子的擴散系數(shù)；以及
第二電極，設(shè)置于該介電層上。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該第一電極的材料包括過渡金屬或其氮化物。
3.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該第一電極比該第二電極容易氧化。
4.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該介電層的材料包括高介電常數(shù)材料。
5.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些第一群聚型金屬納米粒子與該第一電極具有相同的金屬元素。
6.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些第一群聚型金屬納米粒子的材料與該些第一包覆型金屬納米粒子的材料分別包括過渡金屬。
7.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些第一包覆型金屬納米粒子的電位高于該些第一群聚型金屬納米粒子的電位。
8.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些第一包覆型金屬納米粒子的擴散系數(shù)大于該介電層的材料的擴散系數(shù)。
9.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些第一包覆型金屬納米粒子的材料包括一種或兩種以上金屬。
10.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該第二電極的材料包括過渡金屬或其氮化物。
11.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中還包括第一放熱電極，且該第一電極設(shè)置于該第一放熱電極上。
12.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，還包括至少一第二納米結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該第二電極與該介電層之間，且該第二納米結(jié)構(gòu)包括：
多個第二群聚型金屬納米粒子，設(shè)置于該第二電極上，該些第二群聚型金屬納米粒子具有可氧化性；以及
多個第二包覆型金屬納米粒子，包覆該些第二群聚型金屬納米粒子，其中該些第二群聚型金屬納米粒子的擴散系數(shù)大于該些第二包覆型金屬納米粒子的擴散系數(shù)。
13.如權(quán)利要求12所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些第二群聚型金屬納米粒子與該第二電極具有相同的金屬元素。
14.如權(quán)利要求12所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些第二群聚型金屬納米粒子的材料與該些第二包覆型金屬納米粒子的材料分別包括過渡金屬。
15.如權(quán)利要求12所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些第二包覆型金屬納米粒子的電位高于該些第二群聚型金屬納米粒子的電位。
16.如權(quán)利要求12所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些第二包覆型金屬納米粒子的擴散系數(shù)大于該介電層的材料的擴散系數(shù)。
17.如權(quán)利要求12所述的電阻式隨機存取存儲器，其中該些第二包覆型金屬納米粒子的材料包括一種或兩種以上金屬。
18.如權(quán)利要求1所述的電阻式隨機存取存儲器，其中還包括第二放熱電極，設(shè)置于該第二電極上。
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